Гурєєв Анатолій Миколайович

Спосіб експресного контролю структурної досконалості монокристалів, що динамічно розсіюють

Завантаження...

Номер патенту: 20094

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Когут Михайло Тихонович, Кривицький Владислав Петрович, Оліховський Степан Йосипович, Гурєєв Анатолій Миколайович, Кисловський Євген Миколайович, Лось Андрій Вікторович, Низкова Ганна Іванівна, Молодкін Вадим Борисович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Гаврилова Олена Миколаївна

МПК: G01N 23/20

Мітки: динамічної, структурної, досконалості, спосіб, експресного, монокристалів, контролю, розсіюють

Формула / Реферат:

Способ экспрессного контроля структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно которому исследуемый образец облучают пучком рентгеновского излучения, осуществляют брэгг-дифракцию, измеряют интегральную интенсивность отражения, поворачивают образец таким образом, чтобы реализовалось брэгг-отражение, характеризующееся тем же вектором дифракции, измеряют его интегральную интенсивность, рассчитывают по измеренным...

Спосіб контролю структурної досконалості динамічно розсіюючий монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3699

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Литвинов Юрій Михайлович, Осиновський Максим Євгенович, Гурєєв Анатолій Миколайович, Когут Михайло Тихонович, Молодкін Вадим Борисович, Низкова Ганна Іванівна, Сторижко Володимир Юхимович, Кривицький Владислав Петрович, Ковальчук Михайло Валентинович, Полінур Олександр Вольфович, Курбаков Олександр Іванович, Гурєєв Микола Анатолійович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Кисловський Євген Миколайович, Оліховський Степан Йосипович

МПК: G01N 23/20

Мітки: монокристалів, спосіб, досконалості, динамічної, контролю, структурної, розсіюючий

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства динамических рассеивающих монокристаллов, за­ключающийся в том, что исследуемый образец толщиной t облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения, осуществляют лауэ-дифракцию излучения длины волны t, выбранной из условия, налагаемого на производстве m (l)1, где m - коэффициент фотоэлектрического погло­щения на определенной системе плоскостей, изме­ряют интегральные интенсивности JRH (l)...