Кисловський Євген Миколайович

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів

Завантаження...

Номер патенту: 89594

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Кисловський Євген Миколайович, Айс Джин Емері, Молодкін Віталій Вадимович, Сторижко Володимир Юхимович, Молодкін Вадим Борисович, Гинько Ігор Володимирович, Оліховський Степан Йосипович, Шпак Анатолій Петрович, Татаренко Валентин Андрійович, Ковальчук Міхаіл Валєнтіновіч, Лень Євген Георгійович, Булавін Леонід Анатолійович, Низкова Ганна Іванівна, Карнаухов Іван Михайлович, Білоцька Алла Олексіївна, Носик Валєрій Лєонідовіч, Первак Катерина Вадимівна, Барабаш Роза Ісаківна

МПК: G01N 23/20

Мітки: дефектів, структурної, спосіб, багатопараметричної, декількома, монокристалів, діагностики, типами

Формула / Реферат:

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів, що включає опромінення досліджуваного монокристала пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі  та відомої інтенсивності , здійснення у ньому Брегг-дифракції на системі площин, вимірювання за допомогою...

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів

Завантаження...

Номер патенту: 36075

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Лень Євген Георгійович, Кисловський Євген Миколайович, Гинько Ігор Володимирович, Шпак Анатолій Петрович, Ковальчук Михайло Валентинович, Білоцька Алла Олексіївна, Молодкін Вадим Борисович, Оліховський Степан Йосипович, Первак Катерина Вадимівна, Низкова Ганна Іванівна, Молодкін Віталій Вадимович

МПК: G01N 23/20

Мітки: типами, спосіб, дефектів, багатопараметричної, структурної, діагностики, декількома, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів, який полягає в тому, що досліджуваний монокристал опромінюють пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі  і відомої інтенсивності , здійснюють в ньому брегг-дифракцію на системі площин (hkl), вимірюють...

Спосіб контролю структурної досконалості монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 44121

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Кисловський Євген Миколайович, Лень Євген Георгійович, Решетник Олег Васильович, Молодкін Вадим Борисович, Оліховський Степан Йосипович, Шпак Анатолій Петрович, Владімірова Тетяна Петрівна, Остафійчук Богдан Костянтинович, Немошкаленко Володимир Володимирович

МПК: G01N 23/20, G01N 23/00

Мітки: контролю, спосіб, досконалості, структурної, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб контролю структурної досконалості монокристалів, який полягає в тому, що досліджуваний зразок опромінюють пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі l і відомої інтенсивності , здійснюють в ньому брегг-дифракцію на системі площин (hkl), вимірюють залежність дифрагованої інтенсивності , де...

Спосіб визначення структурної досконалості динамічно розсіюючих монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 19220

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Кшевецький Станіслав Антонович, Бідник Дмитро Ілліч, Когут Михайло Тихонович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Остапчук Анатолій Іванович, Ковальчук Михайло Валентинович, Кисловський Євген Миколайович, Шпак Анатолій Петрович, Гуреєв Микола Анатолійович, Молодкін Вадим Борисович, Гуреєв Анатолій Миколайович, Литвинов Юрій Михайлович, Кривицький Владислав Петрович, Осиновський Максим Євгенович, Поленур Олександр Вольфович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Низкова Ганна Іванівна, Оліховський Степан Йосифович

МПК: G01N 23/20

Мітки: спосіб, досконалості, монокристалів, визначення, структурної, динамічної, розсіюючих

Формула / Реферат:

Способ определения структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно котором исследуемый образец облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения и измеряют интегральную интенсивность рефлексов при дифракции излучения для двух положений при повороте образца и определяют статический фактор Дебая-Валлера Lн, отличающийся тем, что дифракцию излучения в обоих положениях образца осуществляют в геометрии Брэгга,...

Спосіб експресного контролю структурної досконалості монокристалів, що динамічно розсіюють

Завантаження...

Номер патенту: 20094

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Кривицький Владислав Петрович, Оліховський Степан Йосипович, Гаврилова Олена Миколаївна, Гурєєв Анатолій Миколайович, Низкова Ганна Іванівна, Кисловський Євген Миколайович, Когут Михайло Тихонович, Лось Андрій Вікторович, Молодкін Вадим Борисович, Немошкаленко Володимир Володимирович

МПК: G01N 23/20

Мітки: розсіюють, структурної, експресного, динамічної, контролю, спосіб, досконалості, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ экспрессного контроля структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно которому исследуемый образец облучают пучком рентгеновского излучения, осуществляют брэгг-дифракцию, измеряют интегральную интенсивность отражения, поворачивают образец таким образом, чтобы реализовалось брэгг-отражение, характеризующееся тем же вектором дифракции, измеряют его интегральную интенсивность, рассчитывают по измеренным...

Спосіб контролю структурної досконалостів монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 17146

Опубліковано: 18.03.1997

Автори: Сhікаwа J., Шпак Анатолій Петрович, Ковальчук Михайло Валентинович, Кисловський Євген Миколайович, Грищенко Тарас Аркадійович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Гинько Ігор Володимирович, Кютт Регінальд Миколайович, Оліховський Степан Йосипович, Когут Михайло Тихонович, Низкова Ганна Іванівна, Молодкін Вадим Борисович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Коhrа К.

МПК: G01B 15/00, G01N 23/22

Мітки: спосіб, контролю, монокристалів, структурної, досконалостів

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства монокристаллов, включающий облучение исследуемого образца известной толщины  пучком рентгеновского излучения с длиной волны  выбранной из условия  осуществление в нем лауэ-дифракции, характеризуемой вектором дифракции при наклоне образца в угловом диапазоне  вокруг вектора  с сохранением дифракционных условий, измерение толщинной зависимости полной интегральной отражательной способности (ПИОС)  где...

Спосіб контролю структурної досконалості монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 14831

Опубліковано: 18.02.1997

Автори: Гинько Ігор Володимирович, Грищенко Тарас Аркадійович, Кисловський Євген Миколайович, Кютт Регінальд Ніколаєвіч, Молодкін Вадим Борисович, Когут Михайло Тихонович, Шпак Анатолій Петрович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Оліховський Степан Йосипович, Ковальчук Міхаіл Валєнтіновіч, Низкова Ганна Іванівна

МПК: G01N 23/20

Мітки: спосіб, контролю, досконалості, монокристалів, структурної

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства монокристаллов, заключающийся в том, что исследуемый кристалл-образец толщиной  облучают пучком рентгеновского излучения с длиной волны  выбранной из условия  - линейный коэффициент фотоэлектрического поглощения), осуществляют на нем лауэ-дифракцию с вектором дифракции  измеряют толщинные зависимости интегральной отражательной способности образца  где   путем наклона образца в угловом диапазоне  от...

Спосіб контролю структурної досконалості динамічно розсіюючий монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3699

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Гурєєв Анатолій Миколайович, Оліховський Степан Йосипович, Полінур Олександр Вольфович, Когут Михайло Тихонович, Курбаков Олександр Іванович, Молодкін Вадим Борисович, Кисловський Євген Миколайович, Низкова Ганна Іванівна, Литвинов Юрій Михайлович, Осиновський Максим Євгенович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Сторижко Володимир Юхимович, Кривицький Владислав Петрович, Ковальчук Михайло Валентинович, Гурєєв Микола Анатолійович

МПК: G01N 23/20

Мітки: монокристалів, контролю, досконалості, спосіб, розсіюючий, динамічної, структурної

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства динамических рассеивающих монокристаллов, за­ключающийся в том, что исследуемый образец толщиной t облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения, осуществляют лауэ-дифракцию излучения длины волны t, выбранной из условия, налагаемого на производстве m (l)1, где m - коэффициент фотоэлектрического погло­щения на определенной системе плоскостей, изме­ряют интегральные интенсивности JRH (l)...