Оліховський Степан Йосипович

Спосіб фазової рентгенографії некристалічного об’єкта довільних форми і розмірів

Завантаження...

Номер патенту: 111437

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Оліховський Степан Йосипович, Шелудченко Борис Володимирович, Лізунов В'ячеслав В'ячеславович, Репецький Станіслав Петрович, Молодкін Вадим Борисович, Горбик Петро Петрович, Молодкін Віталій Вадимович, Карнаухов Іван Михайлович, Шевченко Анатолій Дмитрович, Толмачов Микола Григорович, Сторижко Володимир Юхимович, Неклюдов Іван Матвійович, Лізунова Світлана Вячеславівна, Низкова Ганна Іванівна, Гаєвський Олександр Юлійович, Фузік Катерина Вячеславівна, Третяк Олег Васильович, Веліховський Глеб Олегович, Патон Борис Євгенович

МПК: G03B 42/02, G01N 23/083

Мітки: розмірів, довільних, фазової, об'єкта, спосіб, рентгенографії, форми, некристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб фазової рентгенографії некристалічного об'єкта довільних форми і розмірів, що включає формування монохроматором слаборозбіжного монохроматичного пучка у багатоосьовій рентгенівській установці, спрямування пучка на об'єкт, формування зображення об'єкта динамічним розсіянням в ньому пучка з подальшим бреггівським динамічним його відбиванням від досконалого монокристала-аналізатора, який відрізняється тим, що вимірюють інструментальні...

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів

Завантаження...

Номер патенту: 89594

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Лень Євген Георгійович, Носик Валєрій Лєонідовіч, Барабаш Роза Ісаківна, Білоцька Алла Олексіївна, Первак Катерина Вадимівна, Сторижко Володимир Юхимович, Шпак Анатолій Петрович, Айс Джин Емері, Кисловський Євген Миколайович, Гинько Ігор Володимирович, Оліховський Степан Йосипович, Татаренко Валентин Андрійович, Булавін Леонід Анатолійович, Карнаухов Іван Михайлович, Молодкін Віталій Вадимович, Ковальчук Міхаіл Валєнтіновіч, Низкова Ганна Іванівна, Молодкін Вадим Борисович

МПК: G01N 23/20

Мітки: діагностики, типами, структурної, спосіб, багатопараметричної, декількома, дефектів, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів, що включає опромінення досліджуваного монокристала пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі  та відомої інтенсивності , здійснення у ньому Брегг-дифракції на системі площин, вимірювання за допомогою...

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів

Завантаження...

Номер патенту: 36075

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Білоцька Алла Олексіївна, Лень Євген Георгійович, Оліховський Степан Йосипович, Молодкін Вадим Борисович, Гинько Ігор Володимирович, Шпак Анатолій Петрович, Первак Катерина Вадимівна, Молодкін Віталій Вадимович, Кисловський Євген Миколайович, Ковальчук Михайло Валентинович, Низкова Ганна Іванівна

МПК: G01N 23/20

Мітки: дефектів, діагностики, декількома, багатопараметричної, спосіб, типами, структурної, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів, який полягає в тому, що досліджуваний монокристал опромінюють пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі  і відомої інтенсивності , здійснюють в ньому брегг-дифракцію на системі площин (hkl), вимірюють...

Спосіб контролю структурної досконалості монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 44121

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Молодкін Вадим Борисович, Остафійчук Богдан Костянтинович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Оліховський Степан Йосипович, Владімірова Тетяна Петрівна, Кисловський Євген Миколайович, Шпак Анатолій Петрович, Лень Євген Георгійович, Решетник Олег Васильович

МПК: G01N 23/00, G01N 23/20

Мітки: монокристалів, спосіб, контролю, структурної, досконалості

Формула / Реферат:

Спосіб контролю структурної досконалості монокристалів, який полягає в тому, що досліджуваний зразок опромінюють пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі l і відомої інтенсивності , здійснюють в ньому брегг-дифракцію на системі площин (hkl), вимірюють залежність дифрагованої інтенсивності , де...

Спосіб експресного контролю структурної досконалості монокристалів, що динамічно розсіюють

Завантаження...

Номер патенту: 20094

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Кривицький Владислав Петрович, Молодкін Вадим Борисович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Лось Андрій Вікторович, Когут Михайло Тихонович, Гурєєв Анатолій Миколайович, Оліховський Степан Йосипович, Низкова Ганна Іванівна, Гаврилова Олена Миколаївна, Кисловський Євген Миколайович

МПК: G01N 23/20

Мітки: структурної, контролю, експресного, монокристалів, досконалості, спосіб, динамічної, розсіюють

Формула / Реферат:

Способ экспрессного контроля структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно которому исследуемый образец облучают пучком рентгеновского излучения, осуществляют брэгг-дифракцию, измеряют интегральную интенсивность отражения, поворачивают образец таким образом, чтобы реализовалось брэгг-отражение, характеризующееся тем же вектором дифракции, измеряют его интегральную интенсивность, рассчитывают по измеренным...

Спосіб контролю структурної досконалостів монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 17146

Опубліковано: 18.03.1997

Автори: Кисловський Євген Миколайович, Гинько Ігор Володимирович, Кютт Регінальд Миколайович, Грищенко Тарас Аркадійович, Шпак Анатолій Петрович, Низкова Ганна Іванівна, Ковальчук Михайло Валентинович, Сhікаwа J., Оліховський Степан Йосипович, Коhrа К., Бар'яхтар Віктор Григорович, Когут Михайло Тихонович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Молодкін Вадим Борисович

МПК: G01B 15/00, G01N 23/22

Мітки: контролю, структурної, досконалостів, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства монокристаллов, включающий облучение исследуемого образца известной толщины  пучком рентгеновского излучения с длиной волны  выбранной из условия  осуществление в нем лауэ-дифракции, характеризуемой вектором дифракции при наклоне образца в угловом диапазоне  вокруг вектора  с сохранением дифракционных условий, измерение толщинной зависимости полной интегральной отражательной способности (ПИОС)  где...

Спосіб контролю структурної досконалості монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 14831

Опубліковано: 18.02.1997

Автори: Когут Михайло Тихонович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Кисловський Євген Миколайович, Гинько Ігор Володимирович, Оліховський Степан Йосипович, Шпак Анатолій Петрович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Ковальчук Міхаіл Валєнтіновіч, Низкова Ганна Іванівна, Молодкін Вадим Борисович, Грищенко Тарас Аркадійович, Кютт Регінальд Ніколаєвіч

МПК: G01N 23/20

Мітки: структурної, спосіб, контролю, монокристалів, досконалості

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства монокристаллов, заключающийся в том, что исследуемый кристалл-образец толщиной  облучают пучком рентгеновского излучения с длиной волны  выбранной из условия  - линейный коэффициент фотоэлектрического поглощения), осуществляют на нем лауэ-дифракцию с вектором дифракции  измеряют толщинные зависимости интегральной отражательной способности образца  где   путем наклона образца в угловом диапазоне  от...

Спосіб контролю структурної досконалості динамічно розсіюючий монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3699

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Немошкаленко Володимир Володимирович, Гурєєв Анатолій Миколайович, Осиновський Максим Євгенович, Гурєєв Микола Анатолійович, Литвинов Юрій Михайлович, Оліховський Степан Йосипович, Кисловський Євген Миколайович, Низкова Ганна Іванівна, Сторижко Володимир Юхимович, Курбаков Олександр Іванович, Когут Михайло Тихонович, Полінур Олександр Вольфович, Ковальчук Михайло Валентинович, Кривицький Владислав Петрович, Молодкін Вадим Борисович

МПК: G01N 23/20

Мітки: спосіб, структурної, монокристалів, динамічної, контролю, розсіюючий, досконалості

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства динамических рассеивающих монокристаллов, за­ключающийся в том, что исследуемый образец толщиной t облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения, осуществляют лауэ-дифракцию излучения длины волны t, выбранной из условия, налагаемого на производстве m (l)1, где m - коэффициент фотоэлектрического погло­щения на определенной системе плоскостей, изме­ряют интегральные интенсивности JRH (l)...