Осиновський Максим Євгенович
Спосіб визначення структурної досконалості динамічно розсіюючих монокристалів
Номер патенту: 19220
Опубліковано: 25.12.1997
Автори: Бар'яхтар Віктор Григорович, Когут Михайло Тихонович, Шпак Анатолій Петрович, Кисловський Євген Миколайович, Остапчук Анатолій Іванович, Низкова Ганна Іванівна, Оліховський Степан Йосифович, Бідник Дмитро Ілліч, Гуреєв Микола Анатолійович, Гуреєв Анатолій Миколайович, Ковальчук Михайло Валентинович, Осиновський Максим Євгенович, Кривицький Владислав Петрович, Молодкін Вадим Борисович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Кшевецький Станіслав Антонович, Поленур Олександр Вольфович, Литвинов Юрій Михайлович
МПК: G01N 23/20
Мітки: спосіб, визначення, монокристалів, розсіюючих, досконалості, динамічної, структурної
Формула / Реферат:
Способ определения структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно котором исследуемый образец облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения и измеряют интегральную интенсивность рефлексов при дифракции излучения для двух положений при повороте образца и определяют статический фактор Дебая-Валлера Lн, отличающийся тем, что дифракцию излучения в обоих положениях образца осуществляют в геометрии Брэгга,...
Спосіб контролю структурної досконалості динамічно розсіюючий монокристалів
Номер патенту: 3699
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Сторижко Володимир Юхимович, Кисловський Євген Миколайович, Когут Михайло Тихонович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Оліховський Степан Йосипович, Ковальчук Михайло Валентинович, Низкова Ганна Іванівна, Полінур Олександр Вольфович, Курбаков Олександр Іванович, Молодкін Вадим Борисович, Гурєєв Анатолій Миколайович, Кривицький Владислав Петрович, Литвинов Юрій Михайлович, Гурєєв Микола Анатолійович, Осиновський Максим Євгенович
МПК: G01N 23/20
Мітки: структурної, спосіб, монокристалів, динамічної, розсіюючий, досконалості, контролю
Формула / Реферат:
Способ контроля структурного совершенства динамических рассеивающих монокристаллов, заключающийся в том, что исследуемый образец толщиной t облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения, осуществляют лауэ-дифракцию излучения длины волны t, выбранной из условия, налагаемого на производстве m (l)1, где m - коэффициент фотоэлектрического поглощения на определенной системе плоскостей, измеряют интегральные интенсивности JRH (l)...