Ковальчук Михайло Валентинович
Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів
Номер патенту: 36075
Опубліковано: 10.10.2008
Автори: Молодкін Віталій Вадимович, Первак Катерина Вадимівна, Шпак Анатолій Петрович, Лень Євген Георгійович, Білоцька Алла Олексіївна, Низкова Ганна Іванівна, Гинько Ігор Володимирович, Оліховський Степан Йосипович, Молодкін Вадим Борисович, Ковальчук Михайло Валентинович, Кисловський Євген Миколайович
МПК: G01N 23/20
Мітки: багатопараметричної, монокристалів, дефектів, декількома, спосіб, структурної, типами, діагностики
Формула / Реферат:
Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів, який полягає в тому, що досліджуваний монокристал опромінюють пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі і відомої інтенсивності , здійснюють в ньому брегг-дифракцію на системі площин (hkl), вимірюють...
Спосіб визначення структурної досконалості динамічно розсіюючих монокристалів
Номер патенту: 19220
Опубліковано: 25.12.1997
Автори: Немошкаленко Володимир Володимирович, Кривицький Владислав Петрович, Бідник Дмитро Ілліч, Остапчук Анатолій Іванович, Литвинов Юрій Михайлович, Когут Михайло Тихонович, Молодкін Вадим Борисович, Шпак Анатолій Петрович, Гуреєв Анатолій Миколайович, Кшевецький Станіслав Антонович, Гуреєв Микола Анатолійович, Низкова Ганна Іванівна, Кисловський Євген Миколайович, Поленур Олександр Вольфович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Оліховський Степан Йосифович, Ковальчук Михайло Валентинович, Осиновський Максим Євгенович
МПК: G01N 23/20
Мітки: монокристалів, спосіб, структурної, динамічної, досконалості, розсіюючих, визначення
Формула / Реферат:
Способ определения структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно котором исследуемый образец облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения и измеряют интегральную интенсивность рефлексов при дифракции излучения для двух положений при повороте образца и определяют статический фактор Дебая-Валлера Lн, отличающийся тем, что дифракцию излучения в обоих положениях образца осуществляют в геометрии Брэгга,...
Спосіб контролю структурної досконалостів монокристалів
Номер патенту: 17146
Опубліковано: 18.03.1997
Автори: Гинько Ігор Володимирович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Молодкін Вадим Борисович, Оліховський Степан Йосипович, Сhікаwа J., Кисловський Євген Миколайович, Шпак Анатолій Петрович, Низкова Ганна Іванівна, Бар'яхтар Віктор Григорович, Когут Михайло Тихонович, Кютт Регінальд Миколайович, Ковальчук Михайло Валентинович, Коhrа К., Грищенко Тарас Аркадійович
МПК: G01N 23/22, G01B 15/00
Мітки: спосіб, монокристалів, контролю, досконалостів, структурної
Формула / Реферат:
Способ контроля структурного совершенства монокристаллов, включающий облучение исследуемого образца известной толщины пучком рентгеновского излучения с длиной волны выбранной из условия осуществление в нем лауэ-дифракции, характеризуемой вектором дифракции при наклоне образца в угловом диапазоне вокруг вектора с сохранением дифракционных условий, измерение толщинной зависимости полной интегральной отражательной способности (ПИОС) где...
Спосіб контролю структурної досконалості динамічно розсіюючий монокристалів
Номер патенту: 3699
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Курбаков Олександр Іванович, Сторижко Володимир Юхимович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Оліховський Степан Йосипович, Ковальчук Михайло Валентинович, Молодкін Вадим Борисович, Полінур Олександр Вольфович, Гурєєв Микола Анатолійович, Низкова Ганна Іванівна, Кисловський Євген Миколайович, Осиновський Максим Євгенович, Литвинов Юрій Михайлович, Кривицький Владислав Петрович, Когут Михайло Тихонович, Гурєєв Анатолій Миколайович
МПК: G01N 23/20
Мітки: контролю, монокристалів, досконалості, розсіюючий, спосіб, динамічної, структурної
Формула / Реферат:
Способ контроля структурного совершенства динамических рассеивающих монокристаллов, заключающийся в том, что исследуемый образец толщиной t облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения, осуществляют лауэ-дифракцию излучения длины волны t, выбранной из условия, налагаемого на производстве m (l)1, где m - коэффициент фотоэлектрического поглощения на определенной системе плоскостей, измеряют интегральные интенсивности JRH (l)...