Литвинов Юрій Михайлович

Спосіб визначення структурної досконалості динамічно розсіюючих монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 19220

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Немошкаленко Володимир Володимирович, Литвинов Юрій Михайлович, Когут Михайло Тихонович, Гуреєв Анатолій Миколайович, Оліховський Степан Йосифович, Шпак Анатолій Петрович, Остапчук Анатолій Іванович, Кисловський Євген Миколайович, Низкова Ганна Іванівна, Бар'яхтар Віктор Григорович, Бідник Дмитро Ілліч, Кривицький Владислав Петрович, Ковальчук Михайло Валентинович, Поленур Олександр Вольфович, Гуреєв Микола Анатолійович, Кшевецький Станіслав Антонович, Осиновський Максим Євгенович, Молодкін Вадим Борисович

МПК: G01N 23/20

Мітки: визначення, динамічної, монокристалів, розсіюючих, досконалості, спосіб, структурної

Формула / Реферат:

Способ определения структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно котором исследуемый образец облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения и измеряют интегральную интенсивность рефлексов при дифракции излучения для двух положений при повороте образца и определяют статический фактор Дебая-Валлера Lн, отличающийся тем, что дифракцию излучения в обоих положениях образца осуществляют в геометрии Брэгга,...

Спосіб контролю структурної досконалості динамічно розсіюючий монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3699

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Гурєєв Анатолій Миколайович, Гурєєв Микола Анатолійович, Ковальчук Михайло Валентинович, Когут Михайло Тихонович, Оліховський Степан Йосипович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Низкова Ганна Іванівна, Литвинов Юрій Михайлович, Кисловський Євген Миколайович, Полінур Олександр Вольфович, Курбаков Олександр Іванович, Осиновський Максим Євгенович, Сторижко Володимир Юхимович, Кривицький Владислав Петрович, Молодкін Вадим Борисович

МПК: G01N 23/20

Мітки: розсіюючий, досконалості, контролю, спосіб, динамічної, монокристалів, структурної

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства динамических рассеивающих монокристаллов, за­ключающийся в том, что исследуемый образец толщиной t облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения, осуществляют лауэ-дифракцию излучения длины волны t, выбранной из условия, налагаемого на производстве m (l)1, где m - коэффициент фотоэлектрического погло­щения на определенной системе плоскостей, изме­ряют интегральные интенсивности JRH (l)...