Низкова Ганна Іванівна

Номер патенту: 111437

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Шелудченко Борис Володимирович, Толмачов Микола Григорович, Низкова Ганна Іванівна, Фузік Катерина Вячеславівна, Лізунов В'ячеслав В'ячеславович, Карнаухов Іван Михайлович, Горбик Петро Петрович, Третяк Олег Васильович, Молодкін Віталій Вадимович, Оліховський Степан Йосипович, Неклюдов Іван Матвійович, Сторижко Володимир Юхимович, Репецький Станіслав Петрович, Молодкін Вадим Борисович, Шевченко Анатолій Дмитрович, Патон Борис Євгенович, Веліховський Глеб Олегович, Лізунова Світлана Вячеславівна, Гаєвський Олександр Юлійович

МПК: G01N 23/083, G03B 42/02

Мітки: некристалічного, розмірів, фазової, рентгенографії, об'єкта, форми, спосіб, довільних

Формула / Реферат:

1. Спосіб фазової рентгенографії некристалічного об'єкта довільних форми і розмірів, що включає формування монохроматором слаборозбіжного монохроматичного пучка у багатоосьовій рентгенівській установці, спрямування пучка на об'єкт, формування зображення об'єкта динамічним розсіянням в ньому пучка з подальшим бреггівським динамічним його відбиванням від досконалого монокристала-аналізатора, який відрізняється тим, що вимірюють інструментальні...

Номер патенту: 78213

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Молодкін Вадим Борисович, Мазанко Володимир Федорович, Низкова Ганна Іванівна, Богданов Сергій Євгенович, Храновська Катерина Миколаївна, Богданов Євген Іванович

МПК: G01N 23/00, G01N 23/20, G01N 13/00 ...

Мітки: спосіб, розподілу, монокристала, об'ємі, домішок, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу домішок в об'ємі монокристала, що включає опромінення монокристала випромінюванням, реєстрацію випромінювання, розрахунок концентрації домішок в монокристалі, який відрізняється тим, що опромінювання монокристала здійснюють рентгенівським випромінюванням, послідовно видаляють шари монокристала товщиною порядку 3-5 довжин абсорбції, вимірюють інтенсивність дифракційних рентгенівських ліній у кожному шарі, визначають...

Номер патенту: 89594

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Лень Євген Георгійович, Кисловський Євген Миколайович, Барабаш Роза Ісаківна, Оліховський Степан Йосипович, Айс Джин Емері, Молодкін Вадим Борисович, Первак Катерина Вадимівна, Низкова Ганна Іванівна, Булавін Леонід Анатолійович, Білоцька Алла Олексіївна, Шпак Анатолій Петрович, Молодкін Віталій Вадимович, Татаренко Валентин Андрійович, Сторижко Володимир Юхимович, Карнаухов Іван Михайлович, Ковальчук Міхаіл Валєнтіновіч, Гинько Ігор Володимирович, Носик Валєрій Лєонідовіч

МПК: G01N 23/20

Мітки: багатопараметричної, структурної, монокристалів, декількома, типами, дефектів, діагностики, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів, що включає опромінення досліджуваного монокристала пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі  та відомої інтенсивності , здійснення у ньому Брегг-дифракції на системі площин, вимірювання за допомогою...

Номер патенту: 36075

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Гинько Ігор Володимирович, Первак Катерина Вадимівна, Шпак Анатолій Петрович, Ковальчук Михайло Валентинович, Кисловський Євген Миколайович, Оліховський Степан Йосипович, Низкова Ганна Іванівна, Лень Євген Георгійович, Білоцька Алла Олексіївна, Молодкін Віталій Вадимович, Молодкін Вадим Борисович

МПК: G01N 23/20

Мітки: типами, декількома, багатопараметричної, монокристалів, структурної, діагностики, дефектів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб багатопараметричної структурної діагностики монокристалів з декількома типами дефектів, який полягає в тому, що досліджуваний монокристал опромінюють пучком рентгенівських променів вибраної довжини хвилі  і відомої інтенсивності , здійснюють в ньому брегг-дифракцію на системі площин (hkl), вимірюють...

Номер патенту: 22455

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Гинько Ігор Володимирович, Білоцька Алла Олексіївна, Барабаш Роза Ісаківна, Низкова Ганна Іванівна, Молодкін Вадим Борисович, Григор'єв Данило Олегович, Когут Михайло Тихонович, Шпак Анатолій Петрович

МПК: G01N 23/20

Мітки: структурної, монокристалів, спосіб, визначення, досконалості

Формула / Реферат:

Спосіб визначення структурної досконалості монокристалів, що включає визначення товщини поверхневого порушеного шару у монокристалах після механічної обробки та полягає в тому, що на досліджуваний монокристал спрямовують пучок монохроматичного рентгенівського випромінювання, здійснюють асиметричну Брегг-дифракцію, попередньо визначають кути падіння рентгенівського випромінювання на поверхню зразка, яким відповідають спрямовуючі косинуси

Номер патенту: 11259

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Гинько Ігор Володимирович, Барабаш Роза Ісаківна, Низкова Ганна Іванівна, Молодкін Вадим Борисович, Шпак Анатолій Петрович, Когут Михайло Тихонович, Григор'єв Данило Олегович, Білоцька Алла Олексіївна

МПК: G01N 23/20

Мітки: шару, визначення, поверхневого, спосіб, порушеного, монокристалах, обробки, механічної, товщини

Формула / Реферат:

Спосіб визначення товщини поверхневого порушеного шару в монокристалах після механічної обробки, що включає направлення на досліджуваний монокристалічний зразок пучка монохроматичного рентгенівського випромінювання, здійснення дифракції, вимірювання інтенсивності дифрагованого випромінювання і визначення товщини порушеного шару, який відрізняється тим, що здійснюють асиметричну Брегг-дифракцію, попередньо визначають кути падіння...

Номер патенту: 19220

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Остапчук Анатолій Іванович, Гуреєв Микола Анатолійович, Литвинов Юрій Михайлович, Кшевецький Станіслав Антонович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Гуреєв Анатолій Миколайович, Бідник Дмитро Ілліч, Поленур Олександр Вольфович, Осиновський Максим Євгенович, Когут Михайло Тихонович, Низкова Ганна Іванівна, Оліховський Степан Йосифович, Кисловський Євген Миколайович, Молодкін Вадим Борисович, Кривицький Владислав Петрович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Шпак Анатолій Петрович, Ковальчук Михайло Валентинович

МПК: G01N 23/20

Мітки: динамічної, монокристалів, розсіюючих, досконалості, спосіб, визначення, структурної

Формула / Реферат:

Способ определения структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно котором исследуемый образец облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения и измеряют интегральную интенсивность рефлексов при дифракции излучения для двух положений при повороте образца и определяют статический фактор Дебая-Валлера Lн, отличающийся тем, что дифракцию излучения в обоих положениях образца осуществляют в геометрии Брэгга,...

Номер патенту: 20094

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Гурєєв Анатолій Миколайович, Когут Михайло Тихонович, Кисловський Євген Миколайович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Оліховський Степан Йосипович, Низкова Ганна Іванівна, Лось Андрій Вікторович, Кривицький Владислав Петрович, Молодкін Вадим Борисович, Гаврилова Олена Миколаївна

МПК: G01N 23/20

Мітки: спосіб, експресного, контролю, досконалості, структурної, динамічної, монокристалів, розсіюють

Формула / Реферат:

Способ экспрессного контроля структурного совершенства динамически рассеивающих монокристаллов, согласно которому исследуемый образец облучают пучком рентгеновского излучения, осуществляют брэгг-дифракцию, измеряют интегральную интенсивность отражения, поворачивают образец таким образом, чтобы реализовалось брэгг-отражение, характеризующееся тем же вектором дифракции, измеряют его интегральную интенсивность, рассчитывают по измеренным...

Номер патенту: 17146

Опубліковано: 18.03.1997

Автори: Грищенко Тарас Аркадійович, Сhікаwа J., Бар'яхтар Віктор Григорович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Когут Михайло Тихонович, Молодкін Вадим Борисович, Гинько Ігор Володимирович, Оліховський Степан Йосипович, Коhrа К., Ковальчук Михайло Валентинович, Кисловський Євген Миколайович, Шпак Анатолій Петрович, Низкова Ганна Іванівна, Кютт Регінальд Миколайович

МПК: G01B 15/00, G01N 23/22

Мітки: структурної, монокристалів, досконалостів, контролю, спосіб

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства монокристаллов, включающий облучение исследуемого образца известной толщины  пучком рентгеновского излучения с длиной волны  выбранной из условия  осуществление в нем лауэ-дифракции, характеризуемой вектором дифракции при наклоне образца в угловом диапазоне  вокруг вектора  с сохранением дифракционных условий, измерение толщинной зависимости полной интегральной отражательной способности (ПИОС)  где...

Номер патенту: 14831

Опубліковано: 18.02.1997

Автори: Оліховський Степан Йосипович, Низкова Ганна Іванівна, Молодкін Вадим Борисович, Шпак Анатолій Петрович, Грищенко Тарас Аркадійович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Ковальчук Міхаіл Валєнтіновіч, Когут Михайло Тихонович, Кисловський Євген Миколайович, Кютт Регінальд Ніколаєвіч, Гинько Ігор Володимирович

МПК: G01N 23/20

Мітки: спосіб, монокристалів, структурної, контролю, досконалості

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства монокристаллов, заключающийся в том, что исследуемый кристалл-образец толщиной  облучают пучком рентгеновского излучения с длиной волны  выбранной из условия  - линейный коэффициент фотоэлектрического поглощения), осуществляют на нем лауэ-дифракцию с вектором дифракции  измеряют толщинные зависимости интегральной отражательной способности образца  где   путем наклона образца в угловом диапазоне  от...

Номер патенту: 3699

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Ковальчук Михайло Валентинович, Литвинов Юрій Михайлович, Гурєєв Микола Анатолійович, Молодкін Вадим Борисович, Гурєєв Анатолій Миколайович, Когут Михайло Тихонович, Курбаков Олександр Іванович, Немошкаленко Володимир Володимирович, Кривицький Владислав Петрович, Низкова Ганна Іванівна, Оліховський Степан Йосипович, Кисловський Євген Миколайович, Полінур Олександр Вольфович, Осиновський Максим Євгенович, Сторижко Володимир Юхимович

МПК: G01N 23/20

Мітки: розсіюючий, структурної, спосіб, динамічної, досконалості, монокристалів, контролю

Формула / Реферат:

Способ контроля структурного совершенства динамических рассеивающих монокристаллов, за­ключающийся в том, что исследуемый образец толщиной t облучают полихроматическим пучком рентгеновского излучения, осуществляют лауэ-дифракцию излучения длины волны t, выбранной из условия, налагаемого на производстве m (l)1, где m - коэффициент фотоэлектрического погло­щения на определенной системе плоскостей, изме­ряют интегральные интенсивности JRH (l)...