H01L 31/0248 — характеризуються напівпровідникової підкладкою
Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів
Номер патенту: 106366
Опубліковано: 26.08.2014
Автори: Апатська Марія Володимирівна, Красільніков Дмитро Сергійович, Сизов Федір Федорович, Петряков Володимир Олексійович, Смолій Марія Іванівна
МПК: H01L 27/142, G01J 5/20, G01J 1/42 ...
Мітки: приймач, міліметрового, діапазонів, субміліметрового
Формула / Реферат:
Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент, виконаний у вигляді епітаксійної тонкої плівки матеріалу CdxHg1-xTe зі складом 0,17≤х≤0,3, нанесеної на монокристалічну напівпровідникову підкладку зі струмовими контактами, і схему зміщення, який відрізняється тим, що приймач додатково містить підкладку з відносною діелектричною проникністю ε≤5, діелектричними втратами...
Спосіб виготовлення поверхнево пасивованого поруватого кремнію
Номер патенту: 57697
Опубліковано: 10.03.2011
Автори: Воробець Георгій Іванович, Воробець Марія Михайлівна, Волощук Анатолій Григорович
МПК: C30B 33/00, C25D 11/00, H01L 21/02 ...
Мітки: пасивованого, поруватого, спосіб, виготовлення, поверхневої, кремнію
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення поверхнево пасивованого поруватого кремнію, який включає механічне полірування, попередню хімічну обробку, електрохімічне анодування кремнієвих пластин р-типу провідності в електроліті HF(48 %):C2H5OH=1:1 за густини струму 4÷40 мА/см2 з часом анодування від 10 до 30 хв при кімнатній температурі та пасивування сформованого поруватого кремнію, який відрізняється тим, що відразу після завершення процесу...
Спосіб виготовлення полікристалічного зливка еремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом чохральського, методом зонної плавки
Номер патенту: 86295
Опубліковано: 10.04.2009
Автори: Детлофф Крістіан, Фр'єстад Кеннет
МПК: C01B 33/02, C30B 13/00, C01B 33/00 ...
Мітки: спосіб, полікристалічного, направленої, виготовлення, кристалізації, зливка, плавки, чохральського, методом, еремнію, зонної, одержуваного, шляхом
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...