Спосіб виготовлення полікристалічного зливка еремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом чохральського, методом зонної плавки
Формула / Реферат
Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії підтримують більш високим, ніж вміст фосфору, шляхом додавання бору до розплавленого кремнію з перервами або безперервно, або у випадку, коли вміст фосфору у кремнієвій сировині перевищує вміст бору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст фосфору у розплавленому кремнії підтримують більш високим, ніж вміст бору, шляхом додавання фосфору до розплавленого кремнію з перервами або безперервно.
Текст
Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої крис C2 2 (11) 1 3 (PV). Це призвело до тимчасового покращення скрутного становища на ринку якісної кремнієвої сировини (SoG-Si) для сонячних елементів. З огляду на відновлення попиту на електронні пристрої до звичного рівня, основна частина промислових потужностей з виробництва полікристалічного кремнію, як очікується, буде знову залучена для забезпечення потреб електронної промисловості, що призведе до нестачі сировини для виробництва PV. Нестача пристосованих дешевих джерел SoG-Si та зростаючий дефіцит сировини на сьогоднішній день розглядаються як одна із найсерйозніших перешкод на шляху до подальшого розвитку виробництва сонячних елементів (PV). В останні роки здійснювалося кілька спроб щодо розробки нових джерел SoG-Si, які б не залежали від виробничого ланцюга електронної промисловості. Ці зусилля стосуються впровадження нової технології до поточного процесу виготовлення полікристалічного кремнію, що має на меті значно скоротити собівартість, а також стосуються розробки металургійних процесів очищення, що очищують надлишковий металургійний кремінь (MG-Si) до необхідної міри чистоти. Поки що нікому не вдалося значно скоротити собівартість, досягши при цьому чистоти кремнієвої сировини, необхідної для забезпечення характеристик сонячних елементів (PV), що виготовляються на сьогоднішній день з кремнієвої сировини традиційної якості. При виготовленні сонячних елементів (PV), готується шихта з сировини SoG-Si, що піддається плавці та кристалізується направленим методом у квадратний зливок у спеціальній плавильній печі. Перед плавленням шихта, що містить сировину SoG-Si, легується шляхом додавання бору або фосфору з метою виготовлення зливків р-типу або п-типу відповідно. За деякими виключеннями, комерційні сонячні елементи, що виготовляються на сьогоднішній день, базуються на матеріалі зливків кремнію р-типу. Додавання єдиної легуючої домішки (наприклад бору або фосфору) контролюється з метою забезпечення бажаного електричного питомого опору матеріалу, наприклад, у діапазоні між 0.5-1.5Ом. Це відповідає додаванню 0.02-0.2 промилів (ррmа) бору, якщо необхідно отримати зливок р-типу та при використанні сировини SoGSi з властивою її якістю (фактично чистий кремній з незначним вмістом легуючих домішок). Легуюча процедура передбачає, що вміст іншого легуючого елемента (у цьому прикладі фосфору) є незначним (Р
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for production of multicrystalline silicon ingot, producted by directed crystallization on choralskyi's method, method of zone melting
Автори англійськоюDethloff Christian, Friestad Kenneth
Назва патенту російськоюСпособ изготовления поликриcталлического слитка кремния, полученного путем направленной кристаллизациии по методу чохральского, методом зонной плавки
Автори російськоюДетлофф Крстиан, Фрьестад Кеннет
МПК / Мітки
МПК: H01L 31/00, C30B 15/02, H01L 31/0248, C30B 13/00, H01L 31/0264, C30B 15/00, C01B 33/02, H01L 31/18, C30B 29/06, C01B 33/00, H01L 31/0256, H01L 31/042
Мітки: полікристалічного, методом, виготовлення, кристалізації, чохральського, одержуваного, зонної, зливка, направленої, плавки, спосіб, шляхом, еремнію
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-86295-sposib-vigotovlennya-polikristalichnogo-zlivka-eremniyu-oderzhuvanogo-shlyakhom-napravleno-kristalizaci-za-metodom-chokhralskogo-metodom-zonno-plavki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення полікристалічного зливка еремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом чохральського, методом зонної плавки</a>
Спосіб випробування на втомленість робочих лопаток газотурбінного двигуна, відлитих методом направленої кристалізації
Номер патенту: 51825
Опубліковано: 16.12.2002
Автори: Орлов Михайло Романович, Рубель Олег Володимирович, Лук'янов Валентин Семенович, Яценко Віктор Кузьмич
МПК: G01N 3/32
Мітки: відлитих, направленої, кристалізації, газотурбінного, двигуна, методом, втомленість, лопаток, випробування, робочих, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб випробування на втомленість робочих лопаток газотурбінного двигуна, відлитих методом направленої кристалізації, який включає кріплення тензорезисторів, тарування, задавання амплітудної напруги циклу і визначення межі витривалості, який відрізняється тим, що тарування і задавання амплітудної напруги циклу здійснюється статичним навантаженням деталі.
Спосіб одержання бездислокаційних монокристалів кремнію методом безтигельної зонної плавки
Номер патенту: 8247
Опубліковано: 29.03.1996
Автори: Фалькевич Едуард Семенович, Дудченок Володимир Васильович, Червоний Іван Федорович, Сілаков Григорій Іванович
МПК: C30B 15/20, C30B 13/00
Мітки: кремнію, плавки, безтигельної, одержання, спосіб, монокристалів, методом, бездислокаційних, зонної
Формула / Реферат:
Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки, включающий выращивание на затравке тонкой "шейки", разращивание конической части монокристалла до заданного диаметра и последующее выращивание цилиндрической части монокристалла диаметром D, при использовании индуктора с внутренним диаметром d, меньшим величины D, отличающийся тем, что разращивание конической части монокристалла до...
Спосіб отримання легованих монокристалів кремнію методом індукційної безтигельної зонної плавки та пристрій для його здійснення
Номер патенту: 8250
Опубліковано: 29.03.1996
Автори: Осовський Михайло Йосипович, Сілаков Григорій Іванович, Червоний Іван Федорович, Дудченок Володимир Васильович, Фалькевич Едуард Семенович, Трубіцин Юрій Васильович, Дудавський Сергій Ісаєвич
МПК: C30B 13/00
Мітки: плавки, пристрій, кремнію, отримання, безтигельної, зонної, методом, індукційної, легованих, монокристалів, здійснення, спосіб
Формула / Реферат:
1. Способ получения легированных монокристаллов кремния методом индукционной бестигельной зонной плавки, включающий размещение исходного стержня в камере выращивания, вакууми-рование камеры выращивания, расплавление исходного стержня и дозированную подачу легирующего элемента соплом к зоне расплава, отличающийся тем, что в процессе вакуумирования производят дополнительное осушивание камеры выращивания и технологической оснастки, а...
Спосіб виготовлення тіл обертання методом пошарової кристалізації та пристрій для його здійснення
Номер патенту: 18135
Опубліковано: 01.07.1997
Автори: Кучеренко Павел Петрович, ОСОКІН Валентин Олександрович, Гречанюк Микола Іванович
МПК: C22B 9/22
Мітки: кристалізації, спосіб, пошарової, виготовлення, пристрій, тіл, методом, обертання, здійснення
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления тел вращения методом послойной кристаллизации путем введения вращающейся вокруг собственной оси затравки в контакт с расплавом и намораживание слоя на затравку, отличающийся тем, что для получения заданной толщины и структуры в каждом намораживаемом слое, намораживание на затравку осуществляют путем введения затравки в канавку, выполненную на боковой поверхности тигля, а подачу жидкого металла для намораживания...
Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом чохральського
Номер патенту: 77594
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Коломоєць Сергій Дмитрович, Куликовський Едуард Володимирович, Шифрук Олександр Сергійович
МПК: C30B 29/06, C30B 15/10
Мітки: методом, спосіб, монокристалічного, чохральського, вирощування, злитка, підготовки, тигля
Формула / Реферат:
1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...
Попередній патент: Привід переміщення електрода в наплавочній установці
Наступний патент: Пристрій для нагрівання теплоносія
Випадковий патент: Спосіб виробництва пастили