Патенти з міткою «чохральського»

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C23C 4/04, C30B 15/10, C30B 29/06 ...

Мітки: тигля, підготовки, методом, великого, вирощування, злитка, спосіб, монокристалічного, діаметра, чохральського

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Номер патенту: 101807

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна, Гніздило Олександр Миколайович, Шаповалов Віктор Олександрович, Колєсніченко Володимир Іванович

МПК: C30B 15/10, C30B 15/14, F27B 14/00 ...

Мітки: вирощування, чохральського, пристрій, монокристалів, методом, тугоплавких

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральского, який включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристалу, тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу, який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що тигель виконаний з заготовки...

Номер патенту: 51927

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Гніздило Олександр Миколайович, Карускевич Ольга Віталіївна, Якуша Володимир Вікторович, Колєсніченко Володимир Іванович, Шаповалов Віктор Олександрович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/00, F27B 14/00 ...

Мітки: чохральського, пристрій, тугоплавких, методом, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральського, що включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристала та тигель, виконаний з тугоплавкого матеріалу (метал, сплав, хімічна сполука і т.д.), який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Бондар Валерій Григорійович, Галенін Євгеній Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 15/00, C30B 35/00

Мітки: монокристалів, чохральського, здійснення, методом, пристрій, спосіб, вирощування, розплаву

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фр'єстад Кеннет, Детлофф Крістіан

МПК: C01B 33/00, C01B 33/02, C30B 13/00 ...

Мітки: еремнію, шляхом, виготовлення, кристалізації, чохральського, одержуваного, зонної, зливка, полікристалічного, методом, спосіб, направленої, плавки

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 25.07.2007

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Грицюк Богдан Миколайович

МПК: G01R 27/00, H01L 35/00

Мітки: вирощування, термоелектричних, матеріалів, система, якості, чохральського, методом, контролю, процесу

Формула / Реферат:

1. Система контролю якості процесу вирощування термоелектричних матеріалів, яка відрізняється тим, що містить оптичний освітлювач, прилад для концентрації та відображення об'єктів кристалізації, фотоелектричний приймач перетворювання оптичного сигналу в електричний, комп'ютер для його обробки з подальшими записами у пам'ять, а також пристрій для оптичного відображення контрольованих об'єктів кристалізації.2. Система за п. 1, яка...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Коломоєць Сергій Дмитрович, Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Шифрук Олександр Сергійович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10

Мітки: тигля, підготовки, методом, монокристалічного, чохральського, спосіб, злитка, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Повстяний Володимир Григорович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: нього, вирощування, чохральського, спосіб, кремнію, пристрій, методом, монокристалів, екрануючий

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...