Спосіб одержання монокристалевих тонких плівок

Спосіб одержання монокристалевих тонких плівок шляхом кристалізації, що відрізняється тим, що полікристапеву тонку плівку напівпровідника піддають обробці а атомарному водні КІЛЬКІСТЬ термодефектів. обумовлює автолегування і велику товщину перехідних шарів, або потребує високого вакууму, що створює значні технологічні труднощі Так процес рекристалізації аморфних плівок напівпровідників методом зонної плавки вимагає температур порядку температури плавлення матеріалу, для одержання епітаксіальиих плівок кремнію методом ХІМІЧНОГО осадження з газової фази, необхідний вакуум 7 10 Па, а при зниженні вакууму до 1 10 3 Па температура процесу зростає до 900Х Найбільше близьким по технічній сутності і ефекту, що досягається, до гаданого рішення є спосіб одержання напівпровідникових плівок шляхом термічної кристалізації аморфних тонких плівок ( дивись Заявку 2165619 Японії, МКІ 5 Н 01 L 21/20-№63-321359 Заявлена 20 12 88, Надрукована 26 6 90//Цокай токке кохо Сер 7(2) -1990 -155 -С 89-94 -Японія), прийнятий нами за прототип Недоліком відомого способу є висока температура поверхні аморфної плівки, підтримувана при температурі 500-700"С, що стимулює виникнення тєрмодефектів, призводить до звтолегувзнни й утворення широких перехідних шарів, а також обумовлює складність технологічного обладнання У основу винаходу поставлена задача одержання малодефектных монокристалевих тонких плівок низькотемпературним способом, при температурах порядку кімнатних Поставлена задача вирішується тим, що полінристалева тонка ппівка напівпровідника піддається обробці атомарним воднем у кварцовому реакторі при кімнатній температурі і тиску 3-4Па, який необхіден для створення плазми газового розряду, що стимулює одержання атомарного водню з молекулярного водню, який отримається методом електролізу Зазначений тиск легко одержа со со 35139 ти за допомогою звичайного форвакуумного насоса У порівнянні з прототипом ВІДМІТНОЮ суттєвою ознакою є низькотемпературна обробка атомарним воднем полі кристал ево і напівпровідникової тонкої плівки, що забезпечує усій сукупності ознак, що-заявлені ВІДПОВІДНІСТЬ критерію "новизна" Низькотемпературна обробка атомарним воднем істотно змінює характер кристалізації що обумовлено іншою фізикою процесу передачі енергії атомам напівпровідника на їхнє орієнтоване упорядкування в монокристалеву решітку, що полягає у виділенню енергії при рекомбінації атомів водню 4 48 еВ на межі розподілу монокристал-попікристал Аналоги, що містять ознаки що відрізняють рішення від прототипу, не виявлені t рішення явно не випливає з рівня техніки На підставі цього можна зробити висновок, що рішення задовольняє критерію "винахідницький рівень" Приклад реалізації засобу, що заявляється Методом магнетронного розпилення в установці ВУП-5М на кремнієвій монокристалевій підкладці одержують тонку полікристапеву плівку кремнію товщиною 1 мкм Потім отриманий зразок піддають обробці атомарним воднем протягом 5 год у кварцовому реакторі при кімнатній температурі і тиску 4 Па Атомарний водень одержують у плазмі газового розряду молекулярного водню отриманого методом електролізу Виходячи з вищевикладеного можна зробити висновок, що запропоноване технічне рішення задовольняє критерію промислова "придатність" Тираж 50 екз Відкрите акціонерне товариство «Патент» Україна, 88000, м Ужгород, вул Гагаріна 101 (03122)3-72-89 (03122)2-57-03