Клюй Микола Іванович

Номер патенту: 103172

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Ганус Валерій Олександрович, Клюй Микола Іванович, Трубіцин Юрій Олександрович, Горбулик Володимир Іванович, Макаров Анатолій Володимирович, Дикуша Валерій Миколайович

МПК: H01L 31/18

Мітки: термоциклічних, випробувань, панелей, спосіб, фотоелектричних, сонячних

Формула / Реферат:

Спосіб термоциклічних випробувань сонячних фотоелектричних панелей, що включає освітлення об'єкта термоциклювання світлом з густиною потоку випромінювання 500-600 сонць для вимірювання його фотоелектричних характеристик, після чого проводять n-циклів охолодження об'єкта газоподібним азотом та його нагрівання, після чого знову вимірюють фотоелектричні параметри об'єкта, який відрізняється тим, що об'єкт термоциклювання закріплюють тримачем і...

Номер патенту: 98006

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Клюй Микола Іванович, Дикуша Валерій Миколайович, Горбулик Володимир Іванович, Макаров Анатолій Володимирович, Темченко Володимир Григорович, Ганус Валерій Олександрович

МПК: H01L 21/68

Мітки: панелей, спосіб, фотоелектричних, сонячних, складання

Формула / Реферат:

Спосіб складання сонячних фотоелектричних панелей з фотоперетворювачів (ФП), що включає їх розташування в заданому порядку шляхом фіксації їх між собою, транспортування матриці ФП, комутацію елементів матриці ФП між собою та їх закріплення на каркасі батареї фотоелектричної (БФ), який відрізняється тим, що після фіксації ФП між собою їх розташовують на прозорій технологічній оснастці з вікнами, а фіксація ФП на оснастці здійснюється шляхом...

Номер патенту: 97876

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Кабалдін Олександр Миколайович, Лозінський Володимир Борисович, Неймаш Володимир Борисович, Ліптуга Анатолій Іванович, Клюй Микола Іванович, Притчин Сергій Емілійович, Оксанич Анатолій Петрович

МПК: C23C 16/26, C23C 16/02

Мітки: оптичного, стійкості, деградаційної, іч-світла, покращення, елемента, основі, спосіб, пропускання

Формула / Реферат:

Спосіб покращення пропускання ІЧ-світла оптичним елементом на основі GaAs та покращення його деградаційної стійкості, який включає різання високоомного кристала напівізолюючого GaAs на пластини, шліфовку, поліровку пластин, попередню обробку в плазмі Ar+ та осадження на їх поверхню просвітлюючої алмазоподібної вуглецевої плівки в плазмі СНЦ, який відрізняється тим, що попередню плазмову обробку пластини напівізолюючого GaAs перед осадженням...

Номер патенту: 95669

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Макаров Анатолій Володимирович, Клюй Микола Іванович, Притчин Сергій Емілійович, Оксанич Анатолій Петрович, Авксентьєва Любов Вікторівна

МПК: H01L 31/04, B23K 20/10

Мітки: спосіб, металевої, шин, з'єднання, струмопровідних, фольги

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання металевих струмопровідних шин між собою при складанні сонячних модулів, що включає їх ультразвукове мікрозварювання, який відрізняється тим, що з'єднання шин між собою здійснюють шляхом ультразвукового мікрозварювання, попередньо розмістивши їх одна над одною на масивному столику, на поверхні якого розміщена кремнієва пластина з текстурованою поверхнею, глибина рельєфу якої складає 5-10 мкм, що дозволяє запобігти переміщенню...

Номер патенту: 94605

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Ганус Валерій Олександрович, Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович, Савкіна Рада Костянтинівна, Клюй Микола Іванович

МПК: G02B 5/22, H01L 31/0296

Мітки: просвітлення, фотоприймача, основі, іч-випромінювання, спосіб, cdhgte

Формула / Реферат:

Спосіб просвітлення фотоприймача ІЧ-випромінювання на основі CdHgTe (KPT), який включає попередню обробку поверхні пластини монокристалу КРТ в плазмі аргону протягом 5-5,5 хв. з тиском у робочій камері 25 Па та наступне осадження першого шару алмазоподібних вуглецевих плівок (АВП) a-C:H:N як просвітлюючого покриття з суміші плазми газів аргону, метану, водню та азоту в співвідношенні Ar:CH4:H2:N2=1:3:5:9 при потужності високочастотного...

Номер патенту: 63399

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Єфремов Олексій Олександрович, Костильов Віталій Петрович, Клюй Микола Іванович, Євтух Анатолій Антонович, Литовченко Володимир Григорович, Попов Валентин Георгійович, Саріков Андрій Вікторович, Рассамакін Юрій Володимирович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/265

Мітки: кремнії, монокристалічному, гетерування, полікристалічному, рекомбінаційно-активних, домішок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Клюй Микола Іванович, Мельник Віктор Павлович, Литовченко Володимир Григорович, Попов Валентин Георгійович, Марченко Ростислав Іванович, Горбулик Володимир Іванович, Романюк Борис Миколайович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: гетерування, домішок, кремнії, рекомбінаційно-активних, спосіб

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...