Жарких Юрій Серафимович
Спосіб визначення шорсткості поверхні і глибини порушень кристалоструктури механічно оброблених пластин кремнію
Номер патенту: 92239
Опубліковано: 11.10.2010
Автори: Жарких Юрій Серафимович, Лисоченко Сергій Васильович, Карплюк Олександр Іванович, Примаченко Іван Андрійович, Єременко Вадим Олексійович, Третяк Олег Васильович
МПК: G01B 11/30
Мітки: порушень, пластин, оброблених, визначення, поверхні, кремнію, шорсткості, механічної, глибини, кристалоструктури, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення шорсткості поверхні і глибини порушень кристалоструктури механічно оброблених пластин кремнію, що включає опромінення зразка світлом і реєстрацію характеристик відбитої зразком частини опромінення, який відрізняється тим, що опромінення здійснюють в області прозорості кремнію інфрачервоним світлом з довжиною хвиль 1,3-27 мкм, а шорсткість поверхні і глибину порушень кристалоструктури визначають за величиною довгохвильової...
Спосіб визначення товщини приповерхневого мікродефектного шару на пластинах кремнію
Номер патенту: 48502
Опубліковано: 25.03.2010
Автори: Жарких Юрій Серафимович, Єременко Вадим Олексійович, Примаченко Іван Андрійович, Третяк Олег Васильович, Лисоченко Сергій Васильович, Карплюк Олександр Іванович
МПК: G01B 11/30
Мітки: пластинах, мікродефектного, кремнію, шару, спосіб, товщини, визначення, приповерхневого
Формула / Реферат:
Спосіб визначення товщини приповерхневого мікродефектного шару на пластинах кремнію, що включає опромінення зразка світлом і реєстрацію характеристик відбитої зразком частини опромінення, який відрізняється тим, що опромінення проводять в області прозорості кремнію інфрачервоним світлом з довжиною хвиль 1,3-27 мкм, а товщину приповерхневого мікродефектного шару на пластинах кремнію визначають за величиною довгохвильової межі густини шумів...
Спосіб одержання діелектричних плівок кремнезему на поверхні пластини кремнію в структурному стані аерогелю
Номер патенту: 84467
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Жарких Юрій Серафимович, Лисоченко Сергій Васильович, Третяк Олег Васильович
МПК: H01L 25/00, C01B 33/00, C01B 33/158 ...
Мітки: спосіб, пластини, стані, структурному, кремнезему, кремнію, одержання, поверхні, аерогелю, плівок, діелектричних
Формула / Реферат:
Спосіб одержання діелектричних плівок кремнезему на поверхні пластини кремнію в структурному стані аерогелю, що включає гідратацію, гідролітичну полімеризацію сполуки кремнію з утворенням силоксанових зв'язків і наступну дегідратацію, який відрізняється тим, що синтез сполуки кремнію, її подальші гідратацію, гідролітичну полімеризацію з утворенням силоксанових зв'язків і дегідратацію проводять в одному технологічному циклі при нанесенні на...
Спосіб визначення ефективних мас носіїв заряду в тонких струмопровідних каналах транзисторних напівпровідникових структур
Номер патенту: 50972
Опубліковано: 17.01.2005
Автори: Лисоченко Сергій Васильович, Третяк Олег Васильович, Жарких Юрій Серафимович
МПК: G01N 27/00
Мітки: носіїв, визначення, заряду, каналах, напівпровідникових, транзисторних, ефективних, струмопровідних, структур, мас, тонких, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення ефективних мас носіїв заряду в тонких струмопровідних каналах транзисторних напівпровідникових структур, який включає одночасну дію на матеріал направлених взаємно перпендикулярно магнітного і електричного полів і наступне дослідження наслідків одночасного їх впливу на рух вільних носіїв заряду, який відрізняється тим, що постійне магнітне поле направляють перпендикулярно поверхні зразка, електричне поле є постійним і його...
Спосіб визначення довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду в напівпровідниках
Номер патенту: 67130
Опубліковано: 15.06.2004
Автори: Лисоченко Сергій Васильович, Жарких Юрій Серафимович, Третяк Олег Васильович, Новіков Сергій Сергійович
МПК: G01N 27/00
Мітки: дифузійного, напівпровідниках, носіїв, заряду, довжини, неосновних, спосіб, визначення, зміщення
Формула / Реферат:
Спосіб визначення довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає освітлення поверхні зразка світловим зондом у вигляді смужки і наступне сканування вздовж поверхні зразка в неосвітленій області з вимірюванням струму в колі тонкого дротяного металевого зонда, який відрізняється тим, що зонду надають зворотно-поступальний коливальний рух в напрямку нормальному до поверхні зразка з звуковою частотою, а...
Спосіб визначення ефективних мас в тонких струмопровідних каналах транзисторних напівпровідникових структур
Номер патенту: 50972
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Лисоченко Сергій Васильович, Третяк Олег Васильович, Жарких Юрій Серафимович
МПК: G01N 27/00
Мітки: напівпровідникових, спосіб, визначення, каналах, тонких, ефективних, струмопровідних, мас, транзисторних, структур
Формула / Реферат:
Спосіб визначення ефективних мас носіїв заряду в тонких струмопровідних каналах транзисторних напівпровідникових структур, який включає одночасну дію на матеріал направлених взаємно перпендикулярно магнітного і електричного полів і наступне дослідження наслідків одночасного їх впливу на рух вільних носіїв заряду, який відрізняється тим, що постійне магнітне поле направляють перпендикулярно поверхні зразка, електричне поле є постійним і його...