Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів аiv вvi на відколах nacl

Номер патенту: 18235

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Лоп'янко Михайло Антонович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 25/18

Мітки: спосіб, орієнтованих, нанокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої розміщений випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок, який відрізняється тим, що використовують монокристалічні підкладки із заданою кристалографічною площиною (h, k, l), де h, k, l - індекси Міллера кристалографічних площин...

Номер патенту: 18236

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Матеїк Галина Дмитрівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 25/18

Мітки: спосіб, отримання, слюди, нанокристалів, орієнтованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів АIV ВIV на слюді методом газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок, який відрізняється тим, що як підкладки використовують сколи (0001) слюди-мусковіту, на яких ростуть орієнтовані площинами {111} нанокристалічні тетраедри.

Номер патенту: 79638

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Лоп'янко Михайло Антонович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Ростислав Іванович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/02

Мітки: нанокристалів, напівпровідників, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників у вакуумі із парової фази методом гарячих стінок на підкладках, який відрізняється тим, що вздовж стінок циліндричної камери створюють градієнт температури, а підкладки розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери.2. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників за п.1, який відрізняється тим, що нанокристали вирощують в області критичного перерізу пари, яка близька до...

Номер патенту: 9185

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Івасів Степан Михайлович, Єфремов Михайло Васильович, Рибкіна Зинаіда Олексіївна, Костирко Анатолій Степанович, Реутський Володимир Федорович, Дубинюк Анатолій Антонович, Широбоков Дмитро Єгорович, Рибкін Віктор Васильович

МПК: E21B 43/28

Мітки: сірки, підземної, виплавки, спосіб

Номер патенту: 24647

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна, Запухляк Руслан Ігорович, Борик Віктор Васильович

МПК: C22C 1/00

Мітки: отримання, термоелектричного, свинцю, спосіб, легованого, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного легованого телуриду свинцю, який полягає в тому, що наперед синтезований сплав подрібнюють в ударно-вихровому млині з наступним просіюванням через сито, потім порошок брикетують під тиском, отримані брикети спікають при температурі і тиску протягом певного часу і здійснюють екструзію при заданих температурі та тиску і ступені витягування, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав...