Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників

1. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників у вакуумі із парової фази методом гарячих стінок на підкладках, який відрізняється тим, що вздовж стінок циліндричної камери створюють градієнт температури, а підкладки розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери. 2. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників за п.1, який відрізняється тим, що нанокристали вирощують в області критичного перерізу пари, яка близька до насичення (точка роси). (19) (21) a200503893 (22) 25.04.2005 (24) 10.07.2007 (46) 10.07.2007, Бюл. №10, 2007р. (72) Фреїк Дмитро Михайлович, Лоп'янко Михайло Антонович, Борик Віктор Васильович, Никируй Ростислав Іванович (73) ПРИКАРПАТСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ВАСИЛЯ СТЕФАНИКА (56) UA 56447, A, 15.05.2003 GB 1314951, A, 26.04.1973 3 79638 ри, х - відстань від основного випарника), а підкладки розміщують біля стінок паралельно до осі циліндра камери. На Фіг. зображено схему камери для отримання нанокристалів (а) і розподіл температури вздовж її стінок (б). Створений градієнт температури вздовж стінок камери створює напрямлений газодинамічний потік пари із розподіленими параметрами: - швидкістю, густиною, температурою, пересиченням. При цьому маємо обмін пари із стінками камери (підкладками) визначається незалежною дією двох факторів: - конденсацією частинок на підкладці із напрямленого потоку; - повним або частковим ревипаруванням конденсату із стінок камери у потік. Слід відзначити, що на деякій ділянці камери (підкладок) від початкового перерізу х=0 до критичного х=xкр пара не буде конденсуватися. Значенню xкр відповідає критична температура Ткр. В області, близькій до xкр, із потоку пари, що наближена до насичення (точка роси) будуть формуватися на підкладці окремі нанокристали. Спосіб отримання напівпровідникових нанокристалів здійснюється таким чином. Використову Комп’ютерна в ерстка В. Клюкін 4 ють циліндричну камеру із температурноградієнтними стінками, у нижній частині якої розміщений випарник із наважкою напівпровідникового матеріалу, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери. Всю систему поміщають у вакуумну установку і здійснюють технологічний процес. Приклад конкретного виконання Нанокристали телуриду олова вирощують із газодинамічного потоку пари у циліндричній камері із температурно-градієнтними стінками на підкладках монокристалічної слюди, розміщеної паралельно осі циліндра біля стінок камери. Розміри камери складають: довжина L=8см; діаметр d=3см. Технологічні режими знаходяться у межах: температура основного випарника Тв=(900-1000) К; градієнт температури вздовж стінок камери dTc/dx=(50-80) Ксм -1. При зазначених технологічних факторах на підкладках слюди, розміщених вздовж руху газодинамічного потоку пари, в області критичного перерізу, відбувається ріст окремих стр уктурно досконалих нанокристалічних тетраедрів з поверхневою густиною 108-2,106м -2 і розмірами (0,12)мкм. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601