Никируй Ростислав Іванович

Номер патенту: 54834

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Никируй Ростислав Іванович, Бачук Василь Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктурованого, спосіб, отримання, поліаміді

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого РbТе на поліаміді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв = (700±10) °С, температура підкладки - Тп = (120-160) °С, час осадження t =...

Номер патенту: 46030

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Никируй Ростислав Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Бачук Василь Васильович, Чав'як Іван Ігорович, Ліщинський Ігор Мирославович

МПК: H01F 41/00, B82B 1/00

Мітки: структур, телуриду, квантово-розмірних, спосіб, свинцю, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки AIVBVI при температурі випаровування наважки ТВ, осаджують на підкладки при температурі ТП протягом певного часу t, який відрізняється тим, що як підкладку вибирають попередньо окислені монокристали кремнію SiО2-Si.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 39127

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Никируй Ростислав Іванович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: C30B 11/02

Мітки: підкладках, нанокристалів, отримання, спосіб, aivbvi, скляних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалів AIVBVI на скляних підкладках методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують скляні підкладки, які розміщують у верхній частині камери при певній температурі.

Номер патенту: 39122

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Борик Віктор Васильович, Никируй Ростислав Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, напівпровідникових, наноструктурних, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері з температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник з наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують аморфну підкладку, на якій формуються розорієнтовані нанокристалічні структури.

Номер патенту: 79638

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Никируй Ростислав Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Лоп'янко Михайло Антонович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/02

Мітки: спосіб, одержання, напівпровідників, нанокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників у вакуумі із парової фази методом гарячих стінок на підкладках, який відрізняється тим, що вздовж стінок циліндричної камери створюють градієнт температури, а підкладки розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери.2. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників за п.1, який відрізняється тим, що нанокристали вирощують в області критичного перерізу пари, яка близька до...