Спосіб вирощування епітаксійних плівок ферит-гранатів з циліндричними магнітними доменами

Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 33040

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Ющук Степан Іванович, Юр'ев Сергій Олексійович, Варшава Славомир Степанович, Юрчишин Петро Іванович

Завантажити PDF файл.

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Growing method for epitaxial garnet ferrite films with cylindrical magnetic domains

Автори англійською

Yuschuk Stepan Ivanovych, Yurchyshyn Petro Ivanovych, Yuriev Serhii Oleksiiovych, Varshava Slavomyr Stepanovych

Назва патенту російською

Способ выращивания эпитаксиальных пленок феррит-гранатов с цилиндрическими магнитными доменами

Автори російською

Ющук Степан Иванович, Юрчишин Петр Иванович, Юрьев Сергей Алексеевич, Варшава Славомир Степанович

МПК / Мітки

МПК: C30B 19/00, H01F 10/10

Мітки: ферит-гранатів, плівок, магнітними, циліндричними, спосіб, доменами, вирощування, епітаксійних

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/10-33040-sposib-viroshhuvannya-epitaksijjnikh-plivok-ferit-granativ-z-cilindrichnimi-magnitnimi-domenami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування епітаксійних плівок ферит-гранатів з циліндричними магнітними доменами</a>

Подібні патенти

Спосіб вирощування епітаксійних плівок заміщеного залізо-ітрієвого гранату

Номер патенту: 25599

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Ющук Степан Іванович, Варшава Славомир Степанович, Костюк Петро Степанович

МПК: H01F 41/14, H01F 10/08

Мітки: спосіб, епітаксійних, заміщеного, гранату, вирощування, плівок, залізо-ітрієвого

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних плівок заміщеного залізо-ітрієвого гранату методом рідкофазної епітаксії, що включає занурення підкладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворюючих окислів Fe2O3, Y2O3, La2O3 і розчинника PbO, B2O3 і осадження плівок при заданих режимах, який відрізняється тим, що в склад суміші додають Sc2O3 і вміст окислів в суміші беруть, моль. %: PbO - 81,021; В2O3 - 5,184; Fe2O3 - 13,265;...

Спосіб отримання епітаксійних плівок (snте)х

Номер патенту: 25786

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Шепетюк Володимир Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Белей Мирон Іванович

МПК: C30B 29/46

Мітки: отримання, плівок, snте)х, спосіб, епітаксійних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних плівок (SnTe)x(PbSe)1-x шляхом нагріву підкладки до температури Tп, випаровування вихідної речовини при Tв, нагріву стінок реактора до Tс, додаткового джерела халькогену до Tд, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а як вихідну речовину - суміш компонентів SnTe i PbSe при х = 0,7, причому підкладку нагрівають до Tп = 570 - 630К, суміш компонентів випаровують при Tв = 820К, стінки...

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (snте)х

Номер патенту: 25785

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Буджак Ярослав Степанович, Шепетюк Володимир Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 29/46

Мітки: спосіб, шарів, snте)х, вирощування, епітаксійних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (SnTe)x(PbSe)1-x, що включає нагрів вихідної речовини до температури Tв, стінок реактора до Tс, підкладки до Tп, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а вихідною речовиною служить синтезований полікристалічний твердий розчин (SnTe)x(PbSe)1-x, для одержання шарів n-типу провідності його склад вибирають при x до 0,2, для одержання шарів p-типу провідності x = 0,2 - 1,0,...

Вимірювач магнітного поля і температури

Номер патенту: 28393

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Венгер Євген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Ющук Степан Іванович

МПК: G01K 7/32, H01L 43/08

Мітки: поля, вимірювач, температури, магнітного

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала, розташовані на підкладці, який відрізняється тим, що датчик магнітного поля виконано у вигляді магніторезистора з питомим опором матеріалу 0,01 Ом.см, терморезистор - з твердого розчину Si-Ge<Zn> з питомим опором 0,6-1,0 Oм.cм, а підкладку - з...