Спосіб осадження поганопровідних шарів (варіанти)

1. Спосіб одержання поганопровідних, зокрема електроізолюючих, шарів щонайменше на одній деталі за допомогою вакуумного нанесення покриттів, при якому між щонайменше одним анодом і катодом дугового джерела в атмосфері, що містить реактивний газ, створюють електричний дуговий розряд та здійснюють випаровування мішені, який відрізняється тим, що на поверхні електрично з'єднаної з катодом мішені створюють лише невелике, в основному, перпендикулярне поверхні мішені зовнішнє магнітне поле для підтримання процесу випаровування, що містить вертикальну складову Вz і меншу в порівнянні з нею радіальну або паралельну поверхні складову Вr, шляхом прикладання струму збудження до магнітної системи, яка складається щонайменше з однієї поляризованої, в основному, аксіально котушки, яка має схожу з периферією мішені геометрію.

2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що вертикальну складову Вz на поверхні мішені встановлюють в діапазоні 3-50 Гc, переважно в діапазоні 5-25 Гc.

3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що магнітну систему розташовують, в основному, в одній площині з поверхнею мішені або переважно за поверхнею мішені.

4. Спосіб за одним з попередніх пунктів, який відрізняється тим, що іскровий розряд і щонайменше одне дугове джерело одночасно живлять постійним струмом і імпульсним або змінним струмом.

5. Спосіб за п. 4, який відрізняється тим, що здійснюють ізоляцію поверхні мішені, за рахунок чого частку постійного струму напруги джерела підвищують щонайменше на 10 %, переважно щонайменше на 20 %, в порівнянні з режимом роботи з неізольованою поверхнею.

6. Спосіб за п. 4, який відрізняється тим, що між катодом дугового джерела як першим електродом і додатково розташованим окремо від дугового джерела другим електродом використовують джерело імпульсного струму.

7. Спосіб за п. 6, який відрізняється тим, що другий електрод використовують як катод іншого дугового джерела і з'єднують його також з джерелом постійного струму.

8. Спосіб за п. 6, який відрізняється тим, що як другий електрод включають катод джерела іонного розпилення.

9. Спосіб за одним з попередніх пунктів, який відрізняється тим, що використовують щонайменше дві розташовані під кутом одна до одної або одна навпроти одної мішені, між якими розташовують щонайменше одну деталь.

10. Спосіб за одним з попередніх пунктів, який відрізняється тим, що струм збудження є постійним струмом і/або імпульсним або змінним струмом, який подають від джерела струму через котушку на катод.

11. Спосіб за п. 10, який відрізняється тим, що котушку розраховують з можливістю встановлення зовнішнього магнітного поля при протіканні струму збудження, в основному, на величину власного магнітного поля струму дуги.

12. Спосіб за п. 11, який відрізняється тим, що використовують котушку з числом витків 1-20, переважно 1-10, зокрема 1-5.

13. Спосіб за одним з попередніх пунктів, який відрізняється тим, що використовують мішень з алюмінієвмісного сплаву і з поверхні мішені випаровують алюмінієвмісний сплав або сполуку алюмінієвмісного сплаву.

14. Спосіб за п. 13, який відрізняється тим, що сплав містить чистий алюміній або сплав алюмінію з одним або декількома перехідними металами IV-VI підгруп, а також Fe, Si, В, С, переважно сплав АlTі, AlTa, AlV, АlСr або AlZr.

15. Спосіб за одним з попередніх пунктів, який відрізняється тим, що атмосфера, яка містить реактивний газ, містить кисень або складається з кисню, і в процесі нанесення осаджують оксидовмісний шар, переважно оксид.

16. Спосіб за п. 15, який відрізняється тим, що додатково щонайменше до одного оксидовмісного шару на деталь наносять щонайменше один інший адгезійний і/або твердий шар, причому переважно як останній етап покривання наносять оксидовмісний шар, переважно оксид.

17. Спосіб за п. 16, який відрізняється тим, що щонайменше один раз між адгезійними, твердими і/або оксидними шарами, які безпосередньо ідуть один за одним, наносять перехідний шар, що містить елементи двох шарів, які безпосередньо ідуть один за одним.

18. Спосіб за одним з пп. 1-15, який відрізняється тим, що атмосфера, яка містить реактивний газ, включає в себе боровмісну сполуку або складається з боровмісної сполуки, і осаджують боровмісний шар, переважно борид, зокрема переважно TiB2.

19. Спосіб одержання поганопровідних, зокрема електроізолюючих, шарів щонайменше на одній деталі за допомогою вакуумного нанесення покриттів, при якому між щонайменше одним анодом і катодом дугового джерела в атмосфері, що містить реактивний газ, створюють електричний дуговий розряд та здійснюють випаровування мішені, який відрізняється тим, що на поверхні електрично з'єднаної з катодом мішені не створюють або створюють лише невелике, в основному, перпендикулярне поверхні мішені зовнішнє магнітне поле для підтримання процесу випаровування, яке містить вертикальну складову Bz і, в основному, меншу радіальну або паралельну поверхні складову Br, і в установці для вакуумного нанесення покриттів використовують тільки одне дугове джерело або розташовують інші джерела покривання так, що міра повторного покривання поверхні мішені складає менше 10 %, переважно менше 5 %, зокрема переважно менше 1 %, випаруваної катодом кількості металу.

20. Спосіб за п. 19, який відрізняється тим, що вертикальну складову Вz на поверхні мішені встановлюють менше 50, переважно менше 25 Гс.

21. Спосіб одержання поганопровідних, зокрема електроізолюючих, шарів щонайменше на одній деталі за допомогою вакуумного нанесення покриттів, при якому між щонайменше одним анодом і катодом дугового джерела в атмосфері, що містить реактивний газ, створюють електричний дуговий розряд та здійснюють випаровування мішені, який відрізняється тим, що дуговий розряд створюють генератором постійного струму і/або імпульсного або змінного струму, на поверхні електрично з'єднаної з катодом мішені створюють лише невелике, в основному, перпендикулярне поверхні мішені зовнішнє магнітне поле для підтримання процесу випаровування і між катодом і анодом розташовують електричне ізольоване від обох обмежувальне кільце з діелектрика, наприклад BN, або з дуже добре провідного металу, наприклад Аl, Сu, Ag.