Спосіб одержання магнітооптичних плівок з підвищеною прозорістю

Способ получения магнитооптических пленок с повышенной прозрачностью, включающий нанесение на подложку феррит гранатовой пленки, отжиг, облучение и намагничивание, отличающийся тем, что намагничивание пленки производят в диапазоне 4*102 - 16М04А/м и подвергают ее воздействию ИК-излучения в диапазоне с длиной волны 10-100 мкм Изобретение относится к электронике, в частности к производству магнитооптических пленок. Известен способ получения магнитооптических пленок, включающий нанесение пленки феррит-граната на подложку, высокотемпературный отжиг, облучение радиоактивными изотопами 2 3 B U, намагничивание постоянным магнитным полем [1]. Общими с прототипом признаками являются нанесение пленки феррит-граната на подложку, высокотемпературный отжиг, облучение радиоактивными изотопами, намагничивание Однако данный способ не позволяет получать пленки с повышенной прозрачностью, ввиду отсутствия обработки ИК - излучением в дальнем диапазоне В основу изобретения поставлена задача разработать способ получения магнитооптических пленок с повышенной прозрачностью, а котором упорядочение физической структуры позволило бы обеспечить улучшение магнитооптических свойств и за счет этого повысить прозрачность Существенна ми признаками изобретения являются нанесение на подложку феррит гранатовой пленки, отжиг, облучение, намагничивание и просвечивание дальним ИК ~ излучением Отличительными ст прототипа признаками явпяются намагничивание пленки в диапазоне 4 Ю2 - 16 10* А/м и просвечивание ее ИК - излучением в диапазоне с длиной волны 10-100 мкм. что позволяет уменьшить коэффициент поглощения, связанный с локальным изменением магнитоврашзтельных моментов и попучить пленки с коэффициентом прозрачности, увеличенным на 20-80%. Способ осуществляется следующим образом феррит гранатовую пленку подвергают высокотемпературному отжигу на воздухе при Т=1000*15°С, облучают дозой 102-Ю7Р и намагничивают в диапазоне 4 • 102 — 16 • 10* А/м, просвечивают дальним ИК излучением в диапазоне 10-100 мкм Сопоставительный анализ заявляемого способа с прототипом показывает, что заявляемый способ отпичается от известного тем, что магнитооптическую пленку подвергают намагничиванию в дальнем ИК - диапазоне. Известно применение магнитного поля для намагничивания пленок, но без предварительного высокотемпературного отжига и облучения невозможно получить просветление пленки до 80%. Предлагаемый способ обеспечивает достижение поставленной цели за счет образования локализованных «дырок» на полях кислорода, перестройки атомной подсистемы и переориентации магнитновращательных моментов. Таким образом, применение данного способа получения магнитооптических пленок позволяет получить эффект повышения оптической прозрачности пленок, которым не обладают описанные выше способы СМ Это иллюстрирует приводимый график спектров оптического поглощения YIG в ИК - диапазоне 1 - исходный спектр, 2 - отоженный, 3 - облученный. 3 - намагниченный Пример конкретного выполнения гранатовые пленки выращены на кристаллах GcbGasO^ в направлении (III) из PbO(PbFj) В?Оз. Примесью являются ионы Y, Bi, Tm. Таким образом, химическая формула гранатовых пленок следующая (Y. B i b (Fe, Ga) 5 Oi 2 (Y, Bi. Tm) 3 (Fe. Ga) 5 Oi 2 Пленки подверглись внешнему воздействию высокотемпературному отжигу, J - облучению и действию магнитного поля Высокотемпературный отжиг производился в керамическом тигле, трубчатой печи электросопротивления, при температуре Т = 9 5 0 Ї 1 5 ° С в течение 1-го часа Охлаждались образцы в печи до комнатной температуры Температуру отжмга определяли с помощью термопары хромель-алюмель и цифрового вольтметра. Отжиг S T О ID 00 СО Ю 15385 ксимальное значение на электромагнитах равно Н=20 кЭ Увеличение прозрачности гранатовых пленок после обработки в ИК - диапазоне приведено в таблице производился на воздухе у - облучению образцы подвергались на угтановко ЛМБ - 1 эагрытого вида «Гамма» - 1М, у - излучения радиоактивного изотопа 1J? Cs дозой, равной tO7P Намагничивались образцы в равномерном магниіном поле, маХИЧИЧРСКЗЙ формула Длина полны (см') Коэффициент поглощения До обработки После обработки 0.1791 1,382 1,739 2.58 2,00 1,504 1,086 2,19 1.920 1.832 2,51 0.756 1,249 1.004 1,594 1.173 1.758 2.52 1,408 1,798 1640 1088 «М (Y, ВІ. Tmb F*JO,I 8S6 832 7вО тза 4М 432 408 320 1712 (В), Т т ) , (Fe, Ga) s O« 1284 1240 1184 1168 1024 992 732 712 II Фиг. 1 Тираж 50 екз Поліграфічний комбінат ВАТ "Патент" вул Гагарина, 101, м Ужгород. 88000, Україна (03122) 3-72-89 2-59-54 0.1829 1,081 1,077 1.109 1,309 1.021 0,6763 0,9944 1,243 1,246 1^36 0.679 0,8521 0,768 0,989 0.966 0.962 0.9990 0,8030 0,9540