Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить хром і кремній, який відрізняється тим, що він містить зазначені речовини у вигляді чистих елементарних речовин, при наступному вмісті компонентів, мас. %: хром 25,0-28,0 кремнію решта. (19) (21) u200600788 (22) 30.01.2006 (24) 15.01.2007 (46) 15.01.2007, Бюл. № 1, 2007 р. (72) Гончарко Володимир Семенович, Сафронов Сергій Антонович, Демченко Валентина Андріївна (73) ВІДКРИТЕ АКЦІОНЕРНЕ ТОВАРИСТВО "РЕОМ" 3 19878 4 опору, та підвищення температурного коефіцієнта вій металургії те хнологічному процесу, або шляопору. хом вакуумної плавки, мішені. Запропонований резистивний матеріал для Отримані мішені використовують для одервиготовлення тонкоплівкових резисторів готують у жання тонкоплівкового резистивного покриття такий спосіб. шляхом вакуумного напилювання на підставу реЧисті елементарні речовини - хром і кремній, зистора, по будь - якому із застосовуваних у цій які беруть у виді порошків, змішують при їхньому галузі те хнологічному процесу. співвідношенні, мас. %: хром 25,0-28,0, кремній Отримане тонкоплівкове резистивне покриття 72,0-75,0. має наступні характеристики: діапазон питомого З отриманої суміші, шляхом, по будь - якому із опору 700-3000 Ом/ при товщині шару 1000-2000 застосовуваних у порошковій металургії технологіА°, та коефіцієнт температурного опору: чному процесу, або шляхом вакуумної плавки, 1,0-50 10-6 C°. готують мішені. Приклад 3. Отримані мішені використовують для одерРезистивний матеріал для виготовлення тонжання тонкоплівкового резистивного покриття коплівкових резисторів готують аналогічно як і в шляхом вакуумного напилювання на підставу реприкладі № 1, за винятком вмісту компонентів, зистора, по будь - якому з застосовуваних у цій мас. %: кремній - 76,0, хром - 24,0. галузі те хнологічному процесу. Після одержання однорідної суміші, з неї готуОтримане тонкоплівкове резистивне покриття ють, по будь - якому із застосовуваних у порошкомає наступні характеристики: діапазон питомого вій металургії те хнологічному процесу, або шляопору 70-3000 Ом/ при товщині шару 1000-2000 хом вакуумної плавки, мішені. А°, та коефіцієнт температурного опору: Отримані мішені використовують для одер1,0-50 10-4 C°. жання тонкоплівкового резистивного покриття Приклад № 1. шляхом вакуумного напилювання на підставу реРезистивний матеріал для виготовлення тонзистора, по будь - якому із застосовуваних у цій коплівкових резисторів готують у такий спосіб. У галузі те хнологічному процесові. ємність вводять у виді чисти х порошків елементаОтримане тонкоплівкове резистивне покриття рні хром та кремній, при їхньому наступному співмає наступні характеристики: діапазон питомого відношенні, мас. %,: кремній - 72,00 %, хром опору 300-500 Ом/ при товщині шару 1000-2000 28,0%. А°, та коефіцієнт температурного опору: Після одержання однорідної суміші, з неї готу1,5-35 10-4 С°. ють, по будь - якому з застосовуваних у порошкоПриклад 4. вій металургії те хнологічному процесу, або шляРезистивний матеріал для виготовлення тонхом вакуумної плавки, мішені. коплівкових резисторів готують аналогічно як і в Отримані мішені використовують для одерприкладі № 1, за винятком вмісту компонентів, жання тонкоплівкового резистивного покриття мас. %: кремній - 71,0, хром - 29,0. шляхом вакуумного напилювання на підставу реПісля одержання однорідної суміші, з неї готузистора, по будь - якому з застосовуваних у цій ють, по будь - якому із застосовуваних у порошкообласті технологічному процесу. вій металургії технологічному процесові, або шляОтримане тонкоплівкове резистивне покриття хом вакуумної плавки, мішені. має наступні характеристики: діапазон питомого Отримані мішені використовують для одеропору 700-3000 Ом/ при товщині шару 1000-2000 жання тонкоплівкового резистивного покриття А°, коефіцієнт темпера -турного опору: шляхом вакуумного напилювання на підставу ре1,5-50 10-6 С°. зистора, по будь - якому із застосовуваних у цій Приклад № 2. області технологічному процесові. Резистивний матеріал для виготовлення тонОтримане тонкоплівкове резистивне покриття коплівкових резисторів готують аналогічно як і в має наступні характеристики: діапазон питомого прикладі № 1, за винятком вмісту компонентів, опору 300-400 Ом/ при товщині шару 1000-2000 мас. %: кремній - 75,0, хром - 25,0. А°, та коефіцієнт температурного опору: Після одержання однорідної суміші, з неї готу1,5-35 10-4 С°. ють, по будь - якому з застосовуваних у порошко Комп’ютерна в ерстка Г. Паяльніков Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601