Високоомний матеріал для прецизійних тонкоплівкових резисторів
Номер патенту: 13234
Опубліковано: 28.02.1997
Автори: Марковський Олексій Анатолійович, Мінєєв Олексій Семенович, Левін Євген Михайлович, Арєшкін Алєксєй Андрєєвіч, Балабін Міхаіл Юрьєвіч, Кужель Богдан Степанович, Куценко Віктор Іванович
Формула / Реферат
Высокоомный материал для прецизионных тонкопленочных резисторов, содержащий иттрий, хром и кремний, отличающийся тем, что он выполнен в виде сплава иттрия, хрома и кремния при следующем соотношении исходных компонентов, мас.%:
Иттрий
2,44-4,83
Хром
46,12-44,25
Кремний
51,44-50,92.
Текст
Высокоомный материал для прецизионных тонкопленочных резисторов, содержащий иттрий, хром и кремний, о т л и ч а , ю щ и й с я тем, что он выполнен в виде сплава иттрия, хрома и кремния при следующем соотнош е нии исх од ных комп онентов, мас.%: Иттрий 2,44-4,83 Хром 46,12-44,25 Кремний 51,44-50,92. ние диапазона удельных сопротивлений в высокоомную область. Поставленная цель достигается тем, что резистивный материал представляет собой сплав иттрия, хрома и кремния при следую щем соотношении компонентов, мае %: Иттрий 2.44-4,83 Хром 46,12-44,25 Кремний 51,44-50.92 Заявляемый материал для высокоомных прецизионных тонкопленочных резисторов представляет собой сплав иттрия, хрома и кремния, образующийся при сплавлении данных компонентов, и, согласно диаграммы фазовых равновесий системы Y-Sr-Si, является раствором иттрия в дисилициде хрома В результате введения иттрия возможна корректировка электрофизических параметров полупроводникового CrSte до требующихся для резистивного высокоомного материала с высокими временной и температурной стабильностями. С > со ю со о J 13234 4 Предлагаемый резистивный материал За исключением худшей повторяемости ресущественно отличается от известных тем, зультатов в случае метода вакуумного испачто требуемые параметры материала дости- рения, оба метода дают возможность при гаются путем использования сплава иттрия, соответствующих технологических режимах 5 хрома и кремния, представляющего собой получать тонкопленочные резисторы с дораствор иттрия в дисилициде хрома. Диси- статочно высокими параметрами. Указанные лицид хрома характеризуется высоким ниже параметры тонкопленочных образцов удельным сопротивлением (до 18000 мкОм достигаются путем отжига при оптимальных см), что требуется для высокоомных рези- режимах как на воздухе, так и в 10 вакууме. стивных материалов. Негативным, однако, Временная нестабильность исследовалась при является большая величина температурного 125°С за 1000 часов. коэффициента сопротивления. Как установ- П.р и м е р 1. лено нами при экспериментальных исследоСостав мас.%:У-0Сг-48,04 Si -51,96, ваниях, достижение низкого ТКС при Поверхностное сопротивление: 0,50-0,60 кОм, 15 одновременном достаточно высоком значе- ТКС: 20-Ю'6 1/К, Временная нестабильность: нии удельного сопротивления возможно 0,05 %. при введении в дисилицид хрома редкозе- П р и м е р 2. мельного элемента иттрия. Из всех редкозеСостав мас.%: Y - 1,23 Сг - 47,07 Si -51.70, мельных элементов согласно диаграмм Поверхностное сопротивление: 0,60-20 0,80 фазовых равновесий тройных систем в сили- кОм, ТКС: 25-10'6 1/К, Временная нециде CrSi2 растворяется только иттрий: при стабильность: 0,05%. введении других редкоземельных элемен- П р и м е р 3. тов образуется неоднофазный состав, неСостав мас.%: Y - 2,44 Сг - 46,12 Si -51,44, пригодный для создания прецизионных Поверхностно^ сопротивление: 1,0-25 7,0 тонкопленочных резисторов. кОм/кв.,ТКС: 8-Ю"6 1/К, Временная неЗаявляемый состав придает материалу стабильность: 0,01 %. преимущество, заключающееся в повыше- П р и м е р 4. нии удельного сопротивления до Состав мас.%: Y - 3,64 Сг - 45,18 Si -5Т.18 5000.. 1000 мкОм-см, температурной и вре- Поверхностное сопротивление: 1,0-30 6,0 менной стабильности тонкопленочных ре- кОм/кв.,ТКС: 8-Ю"6 1/К, Временная незисторов на его основе. стабильность: 0,01 %. Предлагаемый материал изготавливает- П р и м е р 5. ся следующим образом. Состав мас.%: Y - 4,83 Сг - 44,25 Si -50,92, Из исходных компонентов изготавлива- Поверхностное сопротивление: 0,5-35 6,5 ются навески и производится их синтез с кОм/кв., ТКС: 10-10"6 1/К, Временная помощью установки электродуговой плавки нестабильность: 0,1 %. в среде аргона под давлением 10 Па. В качестве исходных материалов используют- П р и м е р 6. ся иттрий (ТУ 48-4-208-72), хром (ГОСТ Состав мас.%: Y - 7,18 Сг - 42,41 Si 130,23.3-72) и кремний поликристалличе- 40 50,41, Поверхностное сопротивление: 0,5-3, ский (ГОСТ 26550-85), Синтезированные кОм/кв., ТКС: 20-Ю"6 1/К, Временная неслитки измельчаются в мельнице до разме- стабильность: 0,05%. ров зерна 100-160 мкм и просеиваются чеРезультаты измерений показали, что рез сита с необходимым размером сетки. поставленная цель достигнута, т.к. тонкоТонкопленочные резисторы изготавли- 45 пленочные резисторы на основе сплава Yвались путем термического испарения по- Cr-Si при содержании иттрия 2,44-4,83 рошка с дозированной его подачей из мас.%, хрома 46,12-44,25 мас.%, кремний вибробункера в вакууме 10"3 Па. Кроме того, 51,44-50,92 мас.% обладают следующими из порошка резистивного материала изго- характеристиками: поверхностное сопротовлены мишени диаметром 165 мм и тол- 50 тивление = 2000-5000 Ом/кв., температурщиной 5...6 мм, из которых затем получены ный коэффициент сопротивления не хуже 10"5 тонкопленочные резисторы с прецизионны- 1/К, временная стабильность - не хуже 0.01% за ми параметрами по ионно-плазменной тех- 1000 ч при температуре 125°С. Изменение нологии. Состав пленок соответствует количественного состава в составу исходного материала. 55 указанных пределах не приводит к сущестИзмерения электрофизических пара- венному изменению параметров тонкоплеметров тонкопленочных резисторов ночных резисторов. проводились по стандартным методикам. 13234 Упорядник Замовлення 4105 Техред М.Моргентал Коректор М.Керецман Тираж Підписне Державне патентне відомство України, 254655. ГСП, КиТв-53, Львівська пл., 8 Відкрите акціонерне товариство "Патент", м. Ужгород, вул.ГагарІна, 101
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюHigh-resistivity material for precision thin-film resistors
Автори англійськоюLevin Yevhen Mykhailovych, Kuzhel Bohdan Stepanovych, Markovskyi Oleksii Anatoliiovych, Balabin Mykhailo Yuriiovych, Kutsenko Viktor Ivanovych, Arieshkin Oleksii Andriiovych, Mineiev Oleksii Semenovych
Назва патенту російськоюВысокоомный материал для прецизионных тонкопленочных резисторов
Автори російськоюЛевин Евгений Михайлович, Кужель Богдан Степанович, Марковский Алексей Анатольевич, Балабин Михаил Юрьевич, Куценко Виктор Иванович, Арешкин Алексей Андреевич, Минеев Алексей Семенович
МПК / Мітки
МПК: H01C 7/00
Мітки: високоомний, прецизійних, резисторів, тонкоплівкових, матеріал
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-13234-visokoomnijj-material-dlya-precizijjnikh-tonkoplivkovikh-rezistoriv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Високоомний матеріал для прецизійних тонкоплівкових резисторів</a>
Попередній патент: Роликова волока
Наступний патент: Спосіб корекції імунодефіцитного стану у птиці
Випадковий патент: Спосіб виробництва кисломолочного продукту ацидофіт-р