Матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів
Номер патенту: 11185
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Гончаров Олександр Андрійович, Куделін Юрій Васильович, Муза Михайло Анатолійович, Ігнатенко Петро Іванович, Соколова Ірина Василівна, Усенко Ніна Миколаївна
Формула / Реферат
(57) Материал для тонкопленочных резисторов, содержащий твердый раствор на основе дисилицида хрома и дисилицида никеля, отличающийся тем, что он дополнительно содержит нитрид кремния при следующем соотношении компонентов, мас. %:
дисилицид никеля
19-20
нитрид кремния
3-6
дисилицид хрома
остальное.
Текст
Материал для тонкопленочных резисторов, содержащий твердый раствор на основе дисилицида хрома и дисилицида никеля, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что он дополнительно содержит нитрид кремния при следующем соотношении компонентов, мае. %: дисилицид никеля 19-20 нитрид кремния 3-6 дисилицид хрома остальное. С > Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для получения тонкопленочных резисторов методом ионно-плазменного и магнетронного распыления. В производстве тонкопленочных микрокомпозиционных резисторов в настоящее время большое распространение получили многокомпонентные соединения на основе силицидов металлов, в частности материалы PC ("Резистивные сплавы"), которые являются аналогами заявляемого материала in Использование силицидов в качестве материала для тонких резистивных пленок позволяет в большинстве случаев получить высокостабильные тонкопленочные резистивные элементы при высоких значениях удельного поверхностного сопротивления [2]. За счет образования силицидных и окисных фаз в металлосилицидных пленках при их получении и после термического стабилизирующего отжига кристаллическая структура, как правило, мелкодисперсная, а фазовый состав остается неизменным в течение* длительного времени. Это способствует получению стабильных и надежных тонкопленочных резисторов в широком диапазоне номиналов сопротивления [3]. Удельное сопротивление пленок на основе материалов класса PC имеет значение в диапазоне (10 4 - 10"2) Ом см, что ограничивает удельное поверхностное сопротивление пленок значениями (5 - 10) KOM/Q . Известен резистивный материал РС3710, выбранный в качестве прототипа. Состав материала РС3710 следующий, вес. %: Сг 36,6 - 39,5 N1 8-11 N 0 02 Н 0,03 00 ел О 11185 О 0,3 С 0,06 Si остальное. Данный материал, изготовленный методом порошковой металлургии, представляет собой твердый раствор на основе дисилицида хрома - (Cr, Ni) SI2. Тонкие пленки, полученные на основе РС-3710, имеют удельное сопротивление порядка 0,001 Ом-см и температурный коэффициент сопротивления порядка (-1)-10"4 I/K. Материал РС-3710 обладает рядом достоинств, отличающих материалы класса PC. Недостатки его заключаются в узком диапазоне удельного поверхностного сопротивления и относительно высоком температурном коэффициенте сопротивления. На его основе невозможно напылять пленки с сопротивлением слоя более (1 - 2) кОм/а. Это связано с тем, что толщина стабильных пленок должна быть не менее о 5 10 15 20 о 100 А, а еще лучше порядка 1000 А и выше. Аналогичным недостатком обладают и другие материалы класса PC. Задачей изобретения является увеличение удельного сопротивления, и связанное с этим расширение диапазона удельного поверхностного сопротивления в высокоомную область, тонкопленочных металлосилицидных резисторов, полученных ионно-плазменн ы м распылением массивных м и ш е н е й . Это достигается тем, что р е з и с т и в н ы й материал, включающий д и с и л и ц и д хрома и дІїсилілцид никеля и представляющий собой твердый раствор (Cr Ni)Si2, дополнительно с о д е р ж и т н и т р и д кремния п р и следующем с о о т н о ш е н и и к о м п о н е н т о в , вес. %: дисилицид никеля 19 - 20 нитрид кремния 3-6 д и с и л и ц и д кремния остальное. Анализ известных резистивных материалов [2] показал, что введенные в заявляемое р е ш е н и е вещества и з в е с т н ы , н а п р и м е р , fsfc№ п/п 25 материал (Cr NI)Si2 Однако его применение в чистом виде не обеспечивает такие свойства, которые он проявляет в сочетании с SI3N4, а именно значительное увеличение удельного сопротивления и расширение диапазона сопротивлений тонкопленочных резисторов, получаемых на его основе. При этом ТКС пленок не хуже, чем у прототипа, а качество мишеней, изготовленных методом порошковой металлургии - лучше. Таким образом, данный состав компонентов придает резистивному материалу новые свойства, что и является техническим результатом поставленной задачи. Для экспериментальной проверки заявляемого состава были приготовлены шесть смесей ингредиентов. Хром, никель, кремний, нитрид кремния брались в виде порошков. Мишени изготавливались методом порошковой металлургии. Как показал рентгеновский фазовый анализ, мишени (за исключением п. 1) состояли из двух фаз: твердого раствора на основе дисилицида хрома (Cr NI)Sl2 и нитрида кремния. Резистивные пленки получали методом ионно-плазменного распыления этих мишеней в вакууме. В таблице представлены составы мишеней и свойства полученных пленок. Из таблицы следует, что резистивный материал предполагаемого состава (пп. 3,4) более высокоомный. Пленки, полученные из этого материала, при толщине порядка о 1000 А имеют сопротивление слоя (30 35 70) кОм/а, что как минимум на два порядка больше, чему прототипа. При этом температурный коэффициент сопротивления пленок имеет значение - (1,8 - 2,1)*10 4 І/к, что сравнимо с аналогичным значением для чи40 стого РС-3710 (п. 1). Использование заявляемого изобретения позволит расширить диапазон удельного сопротивления и повысить надежность тонкопленочных резисторов. 45 Состав резистивного материала, в вес % Дисилицид Дисилицид никеля хрома Нитрид кремния 1 79,70 20,30 0 2 78,14 19,90 1.96 Характеристики тонкопленочных резисторов Толщина о пленки,А 2800 3200 • 1200 2250 Сопротив- TKC-10"4l/k ление слоя, OM/D 80 120 400 ' 150 1.5 1.9 11185 Продолжение таблицы • Состав резистивного материала в вес %' п/п Дисилицид хрома Дисилицид никеля Нитрид кремния 3 76,63 19,52 3.85 4 75,59 19,15 5,66 5 73,31 18,67 8,02 6 77,71 18,26 10,03 Упорядник Замовлення 4052 Техред М.Моргентал Характеристики ТОНКОПЛРНОЧНЫУ резисторов Толщина пленки, А 1250 1900 2320 1500 2800 3700 2540 3260 2250 3640 Сопротив ление слоя ГКС-10 OM/D 590 400 320 74000 46000 33000 92 73 180 82 Коректор Л . ФІль Тираж Підписне Державне патентне відомство України, 254655, ГСП, Київ-53, Львівська пл., 8 Відкрите акціонерне товариство "Патент", м. Ужгород, вул.ГагарІна, 101 1.8 2.1 2,4 2,6 4 l/k
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMaterial for thin-flm resistor production
Автори англійськоюIhnatenko Petro Ivanovych, Muza Mykhailo Anatoliiovych, Kudelin Yurii Vasyliovych, Honcharov Oleksandr Andriiovych, Sokolova Iryna Vasylivna
Назва патенту російськоюМатериал для изготовления тонкопленочных резисторов
Автори російськоюИгнатенко Петр Иванович, Муза Михаил Анатольевич, Куделин Юрий Васильевич, Гончаров Александр Андреевич, Соколова Ирина Васильевна
МПК / Мітки
МПК: H01C 7/00
Мітки: тонкоплівкових, виготовлення, резисторів, матеріал
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-11185-material-dlya-vigotovlennya-tonkoplivkovikh-rezistoriv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів</a>
Попередній патент: Реактор
Наступний патент: Спосіб одержання ферітового порошку та пристрій для його здійснення
Випадковий патент: Машина постійного струму