Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, 3 19877 4 При змісті компонентів більшому, ніж верхнє мас. %: кремній - 55,0, ванадій - 17,0, і хром значення заявленого змісту компонентів, резисти28,0%. вний матеріал при виготовленні з нього тонкошаПісля одержання однорідної суміші, з неї готурового напилювання на підставу резистора, не ють, по кожному з застосовуваних у порошковій забезпечує зазначеного технічного результату: металургії технологічному процесу, або шляхом має менший діапазон питомого поверхневого оповакуумної плавки, мішені. ру, та підвищення температурного коефіцієнта Отримані мішені використовують для одеропору. жання тонкоплівкового резистивного покриття Запропонований резистивний матеріал для шляхом вакуумного напилювання на підставу ревиготовлення тонкоплівкових резисторів готують у зистора, по будь - якому із застосовуваних у цій такий спосіб. галузі те хнологічному процесу. Чисті елементарні, котрі беруть у виді порошОтримане тонкоплівочне резистивне покриття ків, ванадій, хром, кремній змішують при їхньому має наступні характеристики: діапазон питомого співвідношенні, мас. %: опору 35-1800 Ом/⎕ при товщині шару 1000Ванадій 13,0-17,0 2000А°, коефіцієнт температурного опору: Кремнію 50,00-55,00 1,5-50,0 10-6 C°. Хрому решта Приклад 3. З отриманої суміші, шляхом, по кожному з заРезистивний матеріал для виготовлення тонстосовуваних у порошковій металургії технологічкоплівкових резисторів готують аналогічно як і в ному процесу, або шляхом вакуумної плавки, гоприкладі № 1, за винятком місту компонентів, мас. тують мішені. %: кремній - 49,0, ванадій 12,0, хром - 39,0. Отримані мішені використовують для одерПісля одержання однорідної суміші, з неї готужання тонкоплівкового резистивного покриття ють, по будь - якому із застосовуваних у порошкошляхом вакуумного напилювання на підставу ревій металургії те хнологічному процесу, або шлязистора, по кожному з застосовуваних у цій обласхом вакуумної плавки, мішені. ті те хнологічному процесу. Отримані мішені використовують для одерОтримане тонкоплівкове резистивне покриття жання тонкоплівкового резистивного покриття має наступні характеристики: діапазон питомого шляхом вакуумного напилювання на підставу реопору 35-1800 Ом/⎕, при товщині шару 1000зистора, по будь - якому з застосовуваних у цій 2000А°, та коефіцієнт температурного опору: галузі те хнологічному процесу. 1,0-50 10-6С°. Отримане тонкоплівкове резистивне покриття Приклад № 1. має наступні характеристики: діапазон питомого Резистивний матеріал для виготовлення тонопору 20-300 Ом/⎕ при товщині шару 1000-2000 коплівкових резисторів готують у такий спосіб. У А°, коефіцієнт температурного опору: ємність вводять, у виді чисти х порошків, елемен1,5-40,0 10-4С°. тарні нікель, хром і кремній, при їхньому наступПриклад 4. ному співвідношенні, мас. %,: кремній - 50,00 %, Резистивний матеріал для виготовлення тонванадій - 13,0, хром - 37,0. коплівкових резисторів готують аналогічно як і в Після одержання однорідної суміші, з неї готуприкладі № 1, за винятком вмісту компонентів, ють, по будь - якому з застосовуваних у порошкомас. %: кремній - 58,0, ванадій 18,0, хром - 24,0. вій металургії те хнологічному процесу, або шляПісля одержання однорідної суміші, з неї готухом вакуумної плавки, мішені. ють, по будь - якому з застосовуваних у порошкоОтримані мішені використовують для одервій металургії те хнологічному процесу, або шляжання тонкоплівкового резистивного покриття хом вакуумної плавки, мішені. шляхом вакуумного напилювання на підставу реОтримані мішені використовують для одерзистора, по будь - якому з застосовуваних у цій жання тонкоплівкового резистивного покриття галузі те хнологічному процесу. шляхом вакуумного напилювання на підставу реОтримане тонкоплівкове резистивне покриття зистора, по будь - якому з застосовуваних у цій має наступні характеристики: діапазон питомого області технологічному процесу. опору 35-1800 Ом/⎕ при товщині шару 1000Отримане тонкоплівкове резистивне покриття 2000А°, та коефіцієнт температурного опору: має наступні характеристики: діапазон питомого 1,0-50 10-6С°. опору 20-400 Ом/⎕ при товщині шару 1000-2000 Приклад № 2. А°, та коефіцієнт температурного опору: Резистивний матеріал для виготовлення тон1,5-40,0 10-4C°. коплівкових резисторів готують аналогічно як і в прикладі № 1, за винятком вмісту компонентів, Комп’ютерна в ерстка Г. Паяльніков Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601