Застосування хлорид-пентатіофосфату міді cu6ps5cl як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Застосування хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії. (19) (21) u200811458 (22) 23.09.2008 (24) 25.03.2009 (46) 25.03.2009, Бюл.№ 6, 2009 р. (72) СТУДЕНЯК ІГОР ПЕТРОВИЧ, UA, ПАНЬКО ВАСИЛЬ ВАСИЛЬОВИЧ, UA, ІЗАЙ ВІТАЛІЙ ЮРІЙОВИЧ, UA, КОПЕРЛЬОС БОГДАН МИХАЙЛОВИЧ, UA 3 40029 4 тому, що при такій же технологічності, хімічній Використання хлорид-пентатіофосфату міді стійкості та відносній дешевизні вони характериCu6PS5Cl у ролі матеріалу для твердоелектролітизуються вищим, більш ніж у 6 разів, значенням чного джерела енергії дає можливість застосовуіонної електропровідності та меншим значенням вати його в різних промислових виробництвах, які енергії активації. потребують нових та ефективних джерел енергії. Приклад. Планується використання кристалів Cu6PS5Cl в Для одержання 10г речовини Cu6PS5Cl брали лабораторіях УжНУ при виконанні фундаменталь5,2256г Сu, 2,6367г S, 0,5094г Р та 1,6282г СuСl і них досліджень нових твердоелектролітичних мазагружали у кварцеву ампулу довжиною 160мм та теріалів. діаметром 20мм. У ролі транспортера завантажуДжерела інформації: вали додаткову кількість CuCl із розрахунку 20мг 1. Julien С. Technological applications of solid на 1см3 вільного об'єму ампули. Ампулу відкачуstate ionics // Mat.Sci.and Engineering. - 1990. вали до залишкового тиску 10-2Па і далі проводили Vol.B6, №1-2. - P.9-28. синтез. Протягом 12 годин спочатку нагрівали до 2. Застосування йодид-пентатіогерманату міді 700К, далі температуру піднімали до 950К і витриCu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичномували протягом 24 годин. Далі у тих самих ампуго джерела енергії: Патент України №31019, МПК лах методом хімічних транспортних реакцій виро(2006) Н01М6/00, Н01М6/18 / Студеняк І.П., Кохан щувалися монокристали даної сполуки. О.П., Панько В.В., Біланчук В.В., Мінець Ю.В. Температура гарячої зони печі складала 923К, №u200711683; Заявлено 22.10.2007; холодної - 873К. Час вирощування монокристалів Опубл.25.03.2008, Бюл. №6. - 2с. - прототип. складав 15 діб. Із одержаних монокристалів виго3. Kuhs W. F., Nitsche R., Scheunemann K. The товляють паралелепіпеди, на торцеві поверхні argyrodites - a new family of the tetrahedrally closeяких наносять електричні контакти. Монокристал packed srtuctures // Mat. Res. Bull. - 1979. - Vol.14, хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl з нанесе№2. - P.241-248. ними електричними контактами представляє со4. Панько В.В., Студеняк И.П., Дьордяй B.C., бою електролітичну комірку типу Cu|Cu6PS5Cl|C, Ковач Д.Ш., Борец А.Н., Ворошилов Ю.В. Влияние де С - графітовий порошок, яка є основним елемеусловий получения на свойства кристаллов нтом твердоелектролітичного джерела енергії. Cu6PS5Hal // Неорг. материалы. - 1988. - Т.24, №1. Застосування монокристалів хлорид- С.120-123. пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl у пристроях для 5. Орлюкас А.С., Кеженис А.П., Микученис виробництва електричної енергії дозволяє покраВ.Ф., Вайткус Р.А. НЧ-, ВЧ- и СВЧ-методы исслещити характеристики твердоелектролітичного дования суперионных проводников // Электрохиджерела енергії, оскільки забезпечується їх висока мия. - 1987. - Т.23, №1. - С.98-104. технологічність, хімічна стійкість та відносна дешевизна. Комп’ютерна верстка В. Мацело Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601