Спосіб виготовлення мікросхеми

Изобретение относится к микро электронике и может быть использовано в производстве электронных приборов и микросхем. Целью изобретения я в л я е т с я расширение технологических в о з можностей способа и з г о т о в л е н и я микросхемы з а счет формирования р е з и с т и в кых и проводящих элементов д в у х э т а п ным селективным лазерным облучением з а г о т о в к и из нитрида алюминия при разных уровнях плотности мощности и з л у ч е н и я . Резистивные элементы формируют при плотности мощности Q = 5 ' 1 0 s - 2 - t O 7 В т / с м 2 , а проводящие при Q - 3 - Ю 7 - 6 - Ю 7 Вт/см 2 при этом используют л а з е р с длиной волны ft = = 1,06 мкм и длительностью импульсов излучения 2-]0~ С. 1 т а б л . Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве электронных приборов и микросхем. Целью и з о б р е т е н и я я в л я е т с я расширение технологических возможностей способа и з г о т о в л е н и я микросхемы з а счет формирования резистивных и проводящих элементов двухэтапным с е л е к тивным лазерным излучением з а г о т о в к и из нитрида алюминия при разных у р о в нях плотности мощности и з л у ч е н и я . Для формирования реэистивных э л е ментов микросхемы используют л а з е р н о е излучение с длиной волны " = 1,06 мкм, А длительностью импульса 2 ' 10"" с при плотности мощности (Q) от 5•10 до 2*10 В т / с м 2 , а для формирования п р о водящих элементов плотность мощности 41-91 излучения составляет 3*10 6*10 К т / с м 2 . Предельные значения плотности мощности лазерного излучения обусловлены температурами р а з л о жения и плавления нитрида алюминия. При плотности мощности Q 5 '10^ Зт/см 2 происходит частичное разложение нитрида алюминия на жидкий алюминий и азот с выделением металлической фазы окиси алюминия, в р е з у л ь т а т е чего с о противление обрабатываемых лазерным измерением участков нитрида алюминия уменьшается, то е с т ь формируются р е зистивиые элементы. При Q > 2 -10 Вт/см : наблюдается значительное преобладание металличес го 1690533 кой фазы, которая и образует проводящий элемент при селективном облучении заготовки из нитрида алюминия. При Q>6-1O^ Вт/см2 обрабатывав, мая поверхность нитрида алюминия подвергается сильной эрозии и наблюдается сублимация материала, в результате металлическая фаза на поверхности не образуется. 1 Q Результаты экспериментов сведены • в таблицу. П р и м е р . На подложке,выполненной из нитрида алюминия, полученной методом горячего прессования» скани- 15 рованием лазерного луча, плотность мощности которого 9 • ЇО 6 Вт/см г формируют реэистивный элемент по заданной топологии. В результате получают резистор, 20 содержшдий частично металлическую фазу - алюминий, окись алюминия и нитрид алюминия, электрическое сопротивление которого равно 6-Ю 2 Ом/кВ, а ТКС = - 8 - Ю " 5 1/град. 25 Затем на той же подложке лучом с плотностью мощности равной 4 , 5 * і 10 Вт/см2 формируют проводящий э л е * мент в соответствии с топологией. Со противление проводника, состоящего из металлической фазы алюминия 5* ЭЧ0' 3 Ом/кВ, а ТКС = 3«10~3 1/град. і Для обработки используют л а з е р с длиной волны излучения 'А - 1,06 мкм (и длительностью импульса 2 *10~б с в режиме модуляции добротности. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Способ изготовления микросхемы, включающий формирование проводящих элементов путем селективной обработки лазерным излучением поверхности з а г о товки из нитрида алюминия, о т л и ч а ю щ и й с я тем, ч т о , с целью расширения технологических возможностей способа, при формировании проводяіцих элементов используют л а з е р с длиной волны излучения 'Л = 1,06 мкм и длительностью излучения 2 -1СГ с , а селективную обработку заготовки проводят' в два этапа: сначала при плотности мощности излучения Q = 5*10 2«10 7 Вт/см 2 , а затем при плотности мощности излучения Q 3-ЮТ 7 2 6-Ю Вт/см . Плотность Элементы мик- Электрическое ТКС, мощности и з - росхемы сопротивление 1/град лучения, элементов t Вт/см2 Ом-см 10~3 3-Ю 6 5-10* 9-Ю* 2-Ю 7 3-Ю7 4,5-Ю 7 7 6-Ю 7 8-Ю Редактор Е.Гиринская Диэлектрик Резистор Резистор Резистор Проводник Проводник Проводник Диэлектрик Составитель Т.Крылова Техред Л.Олийнык 10' 2О0* 2 6-Ю 8,0 8-10-2 5-10-2 2 9-Ю10* -4-Ю-* -2Ч0-ф 5 -8О0' -8 МО' 5 +2.10" 3 +3-10- 3 3 +2-Ю-4 -Ю-3 Корректор М.Самборская Заказ 4013/ДСП Тираж Подписное В И Л Государственного комитета по изобретениям и открытием при ГКНТ СССР Н ИИ 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д . 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101