Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву

Номер патенту: 49104

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Самохвалов Володимир Олександрович

МПК: C30B 15/20

Мітки: контролю, спосіб, діаметра, розплаву, вирощуваного, кремнію, монокристала

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву, що включає регулювання температурних і швидкісних параметрів процесу вирощування за допомогою системи автоматичного регулювання діаметра, що має у своєму складі оптичний датчик з чутливим елементом, за допомогою якого реєструють зміну напрямку випромінювання від меніска стовпчика розплаву в підкристальній області під час вирощування монокристала, і визначення моменту...

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, кремнію, визначення, бездефектної, зони, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Шульга Юрій Григорович, Бакалець Ігор Павлович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: B28D 5/00, C30B 33/00

Мітки: кремнію, заданою, спосіб, виділення, вуглецю, концентрацією, частини, монокристала, зливка, вирощеного, домішки

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, монокристала, обробки, злитків, вирощених, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Номер патенту: 47988

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Третьяков Олег Вальтерович, Оксанич Анатолій Петрович, Петренко Василь Радиславович, Притчин Сергій Емільович, Слюсаренко Оксана Олександрівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристала, пристрій, спосіб, здійснення, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, у тому числі параметрами його меніска, що включає відбір відеокамерою відеозображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що сформовані відеокамерою відеосигнали перетворюють у цифрову форму з прив'язкою до показника яскравості, розподіляють по кольорах і...