Спосіб одержання шихти для вирощування монокристалів ниобату або танталату літія

Номер патенту: 16671

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Коток Людмила Анатоліївна, Некрасова Лідія Миколаївна, Квічко Ліля Абрамівна, Рамакаєва Разія Фяттяхдинівна

МПК: C30B 29/24, C30B 15/00

Мітки: одержання, вирощування, ітрію, спосіб, монокристалів, моноалюмінату

Формула / Реферат:

Способ получения моноалюмината иттрия для выращивания монокристаллов, включающий смешивание соединений, содержащих исходные компоненты, в жидкой среде, отделение твердой фазы, последующую сушку и термообработку, от­личающийся тем, что, с целью улучшения стехи­ометрии состава, уменьшения содержания при­месей и упрощения процесса, в качестве исходных соединений берут предварительно прокаленные окислы иттрия и алюминия, смешивание ведут при их...

Номер патенту: 3983

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Пополітов Владіслав Іванович, Тітов Юрій Олександрович, Сич Альберт Маркович

МПК: C01B 35/00, C01D 15/00

Мітки: спосіб, літія, одержання, тетраборату

Формула / Реферат:

1. Способ получения тетрабората лития из водно-неводных растворов, включающий обработку пересыщенных водных растворив тетрабората лития неводным растворителем с последующим отделением выпавшего кристаллогидрата и его термообработку, отличающийся тем, что в качестве неводного растворителя используют диметилформамид, содержащий воду при объемном соотношении диметилформамид: вода, равном (3-8):1, а пересыщенный водный раствор тетрабората лития...

Номер патенту: 17930

Опубліковано: 03.06.1997

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Волошин Василь Олексійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: монокристалів, шихти, наплавління, оксидів, складних, спосіб

Формула / Реферат:

Способ наплавлення шихты монокристаллов сложных оксидов, включающий загрузку шихты в тигель, помещение тигля в узел наплавлення, нагрев тигля индукционным методом до полного расплавления шихты при постоянной номинальной подводимой к индуктору мощности, догрузку и доплавление шихты и охлаждение тигля до затвердевания расплава, отличающийся тем, что после полного расплавления шихты увеличивают подводимую к индуктору мощность на 10-20% от...

Номер патенту: 10603

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, монокристалів, кадмію, вирощування, сцинтиляційних, вольфрамату

Формула / Реферат:

Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, вы­ращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что вы­ращивание ведут вдоль кристаллографического на­правления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...

Номер патенту: 20590

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Вострецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Віноград Едуард Львович, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, вольфрамату, кадмію, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов воль-фрамата кадмия, включающий наплавление ших­ты стехиометрического состава и выращивание вытягиванием из расплава на затравку в кислород­содержащей атмосфере, отличающийся тем, что в шихту, либо в расплав дополнительно вводят при­месь соединений трехвалентных металлов (Fe, Но, Bi, Eu, Gd и др.) в количестве (1 • 10-4 - 5 • 10-3) мас.%.