Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію
Номер патенту: 87571
Опубліковано: 10.02.2014
Автори: Хандожко Віктор Олександрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Саміла Андрій Петрович, Балазюк Віталій Назарович, Раранський Микола Дмитрович
Формула / Реферат
Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію, який відрізняється тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP, причому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20<T<130 °C відповідає частоті ядерного квадрупольного резонансу FP, що розташована в діапазоні 18,150<FP<19,110 МГц.
Текст
Реферат: Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію характеризується тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP. При цьому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20
ДивитисяДодаткова інформація
Автори англійськоюKovaliuk Zakhar Dmtrovych, Raranskyi Mykola Dmytrovych, Samila Andrii Petrovych
Автори російськоюКовалюк Захар Дмитриевич, Раранский Николай Дмитриевич, Самила Андрей Петрович
МПК / Мітки
МПК: G01N 24/00
Мітки: процес, галію, основі, реєстрації, температури, монокристалу, селеніду
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-87571-proces-reehstraci-temperaturi-na-osnovi-monokristalu-selenidu-galiyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію</a>
Матеріал на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію для функціональних пристроїв оптоелектроніки
Номер патенту: 87210
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович
МПК: G02F 1/29
Мітки: розчину, селеніду, матеріал, оптоелектроніки, напівпровідникового, пристроїв, основі, твердого, функціональних, галію-індію
Формула / Реферат:
Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.
Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію
Номер патенту: 43566
Опубліковано: 25.08.2009
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен
МПК: G01K 17/00
Мітки: основі, монокристалів, оптоелектроніки, пристроїв, селеніду, твердого, матеріал, розчину, напівпровідникового, функціональних, галію-індію
Формула / Реферат:
Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.
Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію
Номер патенту: 86114
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович
Мітки: напівпровідникового, галію-індію, монокристалів, твердого, пристроїв, основі, селеніду, функціональних, розчину, матеріал, оптоелектроніки
Формула / Реферат:
Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.
Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію
Номер патенту: 83765
Опубліковано: 11.08.2008
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович, Краньчец Младен
Мітки: матеріал, монокристалів, лазерного, селеніду, акустооптичного, випромінювання, модулятора, основі, галію-індію
Формула / Реферат:
Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент застосований монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.
Застосування напівпровідникового кристала gаsе як термометричної речовини для термометра на основі ядерного квадрупольного резонансу
Номер патенту: 84872
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Балазюк Віталій Назарович, Ковалюк Захар Дмитрович, Раранський Микола Дмитрович, Саміла Андрій Петрович, Хандожко Віктор Олександрович
МПК: G01N 24/00
Мітки: напівпровідникового, ядерного, застосування, основі, речовини, термометра, резонансу, квадрупольного, кристала, gаsе, термометричної
Формула / Реферат:
Застосування напівпровідникового кристала GaSe як термометричної речовини для термометра на основі ядерного квадрупольного резонансу.
Попередній патент: Пристрій для моделювання ембріона, що опромінюється лазером
Наступний патент: Спосіб переробки вищої рослинності ставків у органічний субстрат для живлення мікроводоростей та зоопланктону
Випадковий патент: Зонд для інтубації кишки