Спосіб визначення кристалографічної орієнтації монокристала
Номер патенту: 88419
Опубліковано: 12.10.2009
Автори: Данільченко Віталій Юхимович, Бондар Володимир Йосипович, Кондратьєв Сергій Павлович
Формула / Реферат
Спосіб визначення кристалографічної орієнтації монокристала, який включає нерухоме закріплення монокристала в гоніометричній головці рентгенівської камери обертання, опромінення монокристала пучком немонохроматизованих характеристичних рентгенівських променів, реєстрацію дифракційної картини монокристала, що обертається, побудову його полюсної фігури і визначення кутового положення кристалографічних площин, який відрізняється тим, що додатково одержують рентгенограму при коливанні монокристала в інтервалі кутів лімба камери від 10° до 20°, а кутове положення φ кристалографічних площин монокристала визначають за положенням бреггівських дифракційних рефлексів на слідах відбивання поліхроматичного випромінювання на рентгенограмах коливання за формулою
, де
φ1 і φ2 - початковий і кінцевий кути інтервалу коливання (φ1<φ2),
L - довжина сліду бреггівського дифракційного рефлексу поліхроматичного випромінювання на рентгенограмі,
L1 - віддаль від бреггівського дифракційного рефлексу до початку сліду з боку менших кутів відбивання.
Текст
Спосіб визначення кристалографічної орієнтації монокристала, який включає нерухоме закріплення монокристала в гоніометричній головці рентгенівської камери обертання, опромінення монокристала пучком немонохроматизованих характеристичних рентгенівських променів, реєстра C2 2 (19) 1 3 положення відносно первинного рентгенівського пучка. В основу винаходу поставлена задача удосконалення відомого способу шляхом значного підвищення його продуктивності. Поставлена задача вирішується тим, що у відомому способі визначення кристалографічної орієнтації монокристалу, який включає нерухоме закріплення монокристалу в гоніометричній головці рентгенівської камери обертання, опромінення монокристалу пучком немонохроматизованих характеристичних рентгенівських променів, реєстрацію дифракційної картини монокристалу, який обертається, побудову його полюсної фігури і визначення кутового положення кристалографічних площин, згідно з винаходом, додатково одержують рентгенограму при коливанні монокристалу в інтервалі кутів лімба камери 10-20°, а кутове положення ϕ кристалографічних площин монокристалу визначають за положенням бреггівських дифракційних рефлексів на слідах відбивання поліхроматичного випромінювання на рентгенограмах коливання: L (ϕ − ϕ1) ϕ = ϕ1 + 1 2 , L де φ1 і φ2 - початковий і кінцевий кути інтервалу коливання (φ1
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for determination of crystallographic orientation of mono-crystal
Автори англійськоюBondar Volodymyr Yosypovych, Danilchenko Vitalii Yukhymovych, Kondratiev Serhii Pavlovych
Назва патенту російськоюСпособ определения кристаллографической ориентации монокристалла
Автори російськоюБондар Владимир Иосифович, Данильченко Виталий Ефимович, Кондратьев Сергей Павлович
МПК / Мітки
МПК: G01N 23/20
Мітки: спосіб, кристалографічно, монокристала, визначення, орієнтації
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-88419-sposib-viznachennya-kristalografichno-oriehntaci-monokristala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб визначення кристалографічної орієнтації монокристала</a>
Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію
Номер патенту: 26951
Опубліковано: 29.12.1999
Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович
МПК: C30B 33/00
Мітки: спосіб, визначення, кремнію, бездефектної, монокристала, зони
Формула / Реферат:
Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...
Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину
Номер патенту: 32073
Опубліковано: 16.02.2004
Автори: Трапезнікова Людмила Віталієвна, Лукша Олег Васильович, Тюпа Олександр Іванович
МПК: C30B 29/10, C30B 7/00, G01B 3/00
Мітки: тригліцинсульфату, розчину, швидкості, визначення, спосіб, монокристала, росту
Формула / Реферат:
Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину, який включає вимір розмірів монокристалу по осях а, b, с, обчислення його об'єму і ваги та зміну їх значень за одиницю часу, проведення визначення розмірів монокристалу вздовж осей а, b, с безпосередньо під час технологічного процесу вирощування монокристала, обчислення його об'єму і ваги в кожний даний момент часу з використанням при цьому експериментально знайдених...
Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву
Номер патенту: 70313
Опубліковано: 15.10.2004
Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Руденко Сергій Васильович
МПК: C30B 15/02
Мітки: розплаву, спосіб, монокристала, кремнію, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...
Спосіб визначення напрямку орієнтації оптичної осі оптично-анізотропних полярних одновісних кристалів
Номер патенту: 25657
Опубліковано: 30.10.1998
Автори: Пасічник Юрій Архипович, Венгер Євген Федорович, Мельничук Олександр Володимирович
МПК: G01N 21/17
Мітки: визначення, оптично, напрямку, орієнтації, оптично-анізотропних, кристалів, спосіб, полярних, одновісних, осі
Формула / Реферат:
Спосіб визначення напрямку орієнтації оптичної осі оптично-анізотропних полярних одновісних кристалів, який полягає в тому, що на плоску поверхню монокристала направляють пучок лінійно-поляризованого інфрачервоного випромінювання, реєструють коефіцієнт відбивання відбитого від плоскої поверхні випромінювання, який відрізняється тим, що направляють пучок випромінювання з області залишкових променів оптично-анізотропного одновісного полярного...
Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію
Номер патенту: 26952
Опубліковано: 29.12.1999
Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович
МПК: C30B 33/00
Мітки: монокристала, спосіб, кремнію, вирощених, обробки, злитків
Формула / Реферат:
Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.
Попередній патент: Синергічна фунгіцидна комбінація активних речовин і їх застосування для боротьби з небажаними фітопатогенними грибами
Наступний патент: Блок незнімної опалубки
Випадковий патент: Вживання інертного газу криптону і/або ксенону у складі лікарської форми