Hапівпровідhиковий сциhтиляційhий матеріал
Номер патенту: 16669
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Вербицький Олег Петрович, Носачов Борис Григорійович
Формула / Реферат
Полупроводниковый сцинтилляционный материал на основе соединения А В с активирующей добавкой одного из компонентов, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности и расширения спектрального диапазона люминесценции, материал дополнительно содержит вторую добавку одного из компонентов, образующую с исходным соединением твердый раствор замещения, при этом в качестве активатора и замещающей добавки выбраны компоненты, образующие бинарные соединения А^В^ и имеющие разницу соотношений параметров решетки в сравнении с исходным соединением А^В^ & 25% для соединения с активирующей добавкой и •& 15% для соединения с замещающей добавкой, а разницу между электроотрицательностью активирующей добавки и замещаемым компонентом & 10%, и а 5% для замещающей добавки и замещаемого компонента.
Текст
Т Не подлежит опубликованию в открытой печати СОЮЗ СОВЕТСНИХ СО^АЛИСТИЧЕШИХ РЕСПУБЛИК n» SU(mJ£26769 А 3(51) С ЗО В 29/І48: Q 01 Т 1/202 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2585061/22-26 (22) 01,03.78 (72) В о Д 0 Рыжиков, О.П.Вербицкий и Б о Г о Носачев k (53) 621,315.592(088.8) (56) 1 . Патент США № 2585551, кл. 250-363, 1965. 2 в Патент США № 337*176, кл о 252-б23, Ї 9 6 9 , Зо Патент США Н 3586856, ° кл 0 250-211, 0 01 Т 1/20, 1971 (прототип)„ (5і») (57) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ на основе соединения A | f B v ' c активирующей добавкой одного из компонентов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, ч т о , с целью п о вышения эффективности и расширения С30209 спектрального диапазона люминесценции, материал дополнительно содержит вторую добааку одного из компонентов, образующую с исходным соединением твердый раствор замещения, при этом в качестве активатораи замещающей добавки выбраны компоненты, образующие бинарные соединения А ( | В У 1 и имеющие разницу соотношений параметров решетки в сравнении с исходным соединением А 1 ^ ^ 25% для соединения с активирующей добавкой и ^ 1 5 % для соединения с замещающей добавкой, а разницу между электроотрицательностью активирующей добавки и замещаемым компонентом £-10%, и £• Ъ% для замещающей добавки и замещаемого компонента. 30 і 826769 Изобретение относится к сцинтиллясопровождается излучением избыточционным на основе неорганических ной энергии в оптической области„Кванвеществ материала радиационных деты световой энергии регистрируются ' "текторов,,используемых для регистприемным устройством [Т]. . рации ионизирующих излучений. Эти Недостатком этого материала явля5 материалы находят широкое применеется спектральная характеристика ма1 VtI ние в дефектоскопии, ядерной и костериалов A B не позволяет использомической промышленности, при геоловать их в сочетании с известными полугоразведочных работах, а также в проводниковыми приемникамиj специальных отраслях хозяйства, to - время релаксации сравнительно Регистрация ионизирующих излувелико (250-300 нсек)* чений основана на использовании - материал гигроскопичен (требует сцинтилляционных свойств материала контейнеризации), детектора, преобразующего энергию Известен полупроводниковый материионизирующего излучения в световую,, 15 ал соединений А11 В^1 , содержащий изоПод воздействием квантов энергии" валентную примесь, образующую непреионизирующего излучения ( ?5% для соединения с активирующей добавкой и $ 15% для соединения с замещающей добавкой, а разницу между электроотрицательностыо активирующей добавки и замеща- 30 емым компонентом £• 10% и £ 5% для замещающей добавки и замещаемого компонента,. Выбор критериев для подбора активирующей добавки и дополнительно за- 35 мещающей добавки одного из компонентов обусловлен особенностями механизма излучения в полупроводниковых сцинтилляторах0 При воздействии ионизирующего излу-40 чения носителя заряда заполняют образующиеся при введении активирующей добавки излучательные уровни А^, ЕЦ , \Л, V(j, расположенные внутри запрещенной зоны ї.л, на расстоянии 45 D Е = Etf-Е^ края зоны проводимости (или валентной зоны) с энергией излучения Е
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюSemiconductor scintillation material
Автори англійськоюRyzhykov Volodymyr Dyomydovych, Verbytskyi Oleh Petrovych, Nosachev Borys Hryhoriiovych
Назва патенту російськоюПолупроводниковый сцинтилляционный материал
Автори російськоюРыжиков Владимир Диомидович, Вербицкий Олег Петрович, Носачев Борис Григорьевич
МПК / Мітки
МПК: C30B 29/48, G01T 1/202
Мітки: hапівпровідhиковий, сциhтиляційhий, матеріал
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/6-16669-hapivprovidhikovijj-scihtilyacijjhijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Hапівпровідhиковий сциhтиляційhий матеріал</a>
Попередній патент: Автоматичний реверсивний пристрій
Наступний патент: Спосіб одержання п’езонапівпровідникового матеріалу на основі сполук а
Випадковий патент: Багатошаровий захищений папір та спосіб його виготовлення