Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Полупроводниковый сцинтилляционный ма­териал на основе соединения А В с активирую­щей добавкой одного из компонентов, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения эффективно­сти и расширения спектрального диапазона люми­несценции, материал дополнительно содержит вторую добавку одного из компонентов, образую­щую с исходным соединением твердый раствор за­мещения, при этом в качестве активатора и замещающей добавки выбраны компоненты, обра­зующие бинарные соединения А^В^ и имеющие разницу соотношений параметров решетки в срав­нении с исходным соединением А^В^ & 25% для соединения с активирующей добавкой и •& 15% для соединения с замещающей добавкой, а разни­цу между электроотрицательностью активирую­щей добавки и замещаемым компонентом & 10%, и а 5% для замещающей добавки и за­мещаемого компонента.

Текст

Т Не подлежит опубликованию в открытой печати СОЮЗ СОВЕТСНИХ СО^АЛИСТИЧЕШИХ РЕСПУБЛИК n» SU(mJ£26769 А 3(51) С ЗО В 29/І48: Q 01 Т 1/202 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2585061/22-26 (22) 01,03.78 (72) В о Д 0 Рыжиков, О.П.Вербицкий и Б о Г о Носачев k (53) 621,315.592(088.8) (56) 1 . Патент США № 2585551, кл. 250-363, 1965. 2 в Патент США № 337*176, кл о 252-б23, Ї 9 6 9 , Зо Патент США Н 3586856, ° кл 0 250-211, 0 01 Т 1/20, 1971 (прототип)„ (5і») (57) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ на основе соединения A | f B v ' c активирующей добавкой одного из компонентов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, ч т о , с целью п о вышения эффективности и расширения С30209 спектрального диапазона люминесценции, материал дополнительно содержит вторую добааку одного из компонентов, образующую с исходным соединением твердый раствор замещения, при этом в качестве активатораи замещающей добавки выбраны компоненты, образующие бинарные соединения А ( | В У 1 и имеющие разницу соотношений параметров решетки в сравнении с исходным соединением А 1 ^ ^ 25% для соединения с активирующей добавкой и ^ 1 5 % для соединения с замещающей добавкой, а разницу между электроотрицательностью активирующей добавки и замещаемым компонентом £-10%, и £• Ъ% для замещающей добавки и замещаемого компонента. 30 і 826769 Изобретение относится к сцинтиллясопровождается излучением избыточционным на основе неорганических ной энергии в оптической области„Кванвеществ материала радиационных деты световой энергии регистрируются ' "текторов,,используемых для регистприемным устройством [Т]. . рации ионизирующих излучений. Эти Недостатком этого материала явля5 материалы находят широкое применеется спектральная характеристика ма1 VtI ние в дефектоскопии, ядерной и костериалов A B не позволяет использомической промышленности, при геоловать их в сочетании с известными полугоразведочных работах, а также в проводниковыми приемникамиj специальных отраслях хозяйства, to - время релаксации сравнительно Регистрация ионизирующих излувелико (250-300 нсек)* чений основана на использовании - материал гигроскопичен (требует сцинтилляционных свойств материала контейнеризации), детектора, преобразующего энергию Известен полупроводниковый материионизирующего излучения в световую,, 15 ал соединений А11 В^1 , содержащий изоПод воздействием квантов энергии" валентную примесь, образующую непреионизирующего излучения ( ?5% для соединения с активирующей добавкой и $ 15% для соединения с замещающей добавкой, а разницу между электроотрицательностыо активирующей добавки и замеща- 30 емым компонентом £• 10% и £ 5% для замещающей добавки и замещаемого компонента,. Выбор критериев для подбора активирующей добавки и дополнительно за- 35 мещающей добавки одного из компонентов обусловлен особенностями механизма излучения в полупроводниковых сцинтилляторах0 При воздействии ионизирующего излу-40 чения носителя заряда заполняют образующиеся при введении активирующей добавки излучательные уровни А^, ЕЦ , \Л, V(j, расположенные внутри запрещенной зоны ї.л, на расстоянии 45 D Е = Etf-Е^ края зоны проводимости (или валентной зоны) с энергией излучения Е

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Semiconductor scintillation material

Автори англійською

Ryzhykov Volodymyr Dyomydovych, Verbytskyi Oleh Petrovych, Nosachev Borys Hryhoriiovych

Назва патенту російською

Полупроводниковый сцинтилляционный материал

Автори російською

Рыжиков Владимир Диомидович, Вербицкий Олег Петрович, Носачев Борис Григорьевич

МПК / Мітки

МПК: C30B 29/48, G01T 1/202

Мітки: hапівпровідhиковий, сциhтиляційhий, матеріал

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/6-16669-hapivprovidhikovijj-scihtilyacijjhijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Hапівпровідhиковий сциhтиляційhий матеріал</a>

Подібні патенти