Патенти з міткою «діодах»

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах

Завантаження...

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: часу, носіїв, нерівноважних, напівпровідникових, спосіб, заряду, діодах, життя, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Ключовий елемент на діодах шотткі зі структурами “кремній-на-ізоляторі”

Завантаження...

Номер патенту: 29698

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 29/66

Мітки: кремній-на-ізоляторі, шотткі, елемент, діодах, ключовий, структурами

Формула / Реферат:

Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами "кремній-на-ізоляторі", який складається із підкладки р-типу провідності, на якій послідовно розміщують шари ізолятора та смужку із монокристалічної плівки кремнію n-типу провідності, який відрізняється тим, що в смужці із плівки кремнію витравлюють 5 вузьких канавок на всю товщину рекристалізованої плівки кремнію, причому 3 сусідні канавки заповнюють алюмінієм для утворення бар'єрів...