Новосядлий Святослав Володимирович

Номер патенту: 114668

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Святослав Володимирович, Котик Михайло Васильович

МПК: H01L 21/3065, H01L 21/265, H01L 21/31 ...

Мітки: формування, плазмового, схем, інтегральних, структур, великих, міжшарової, ізоляції, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового формування міжшарової ізоляції субмікронних структур ВІС, що містить мікроцикли технологічних операцій транзисторних структур до формування контактних вікон, який відрізняється тим, що міжшарову ізоляцію формують НВЧ-плазмовим низькотемпературним осадженням борофосфоросилікатного скла в реакторі електронно-циклотронного резонансу розкладом дисилану, легованого бором, фосфором із вмістом В2О3 і Р2О5 в склі 11±2%, 2,5±0,5% ат...

Номер патенту: 108820

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Святослав Володимирович, Бережанський Володимир Михайлович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/22

Мітки: іонно-плазмового, джерела, формування, нітриду, дифузійного, спосіб, планарного, бору

Формула / Реферат:

1. Спосіб іонно-плазмового формування планарного дифузійного джерела із нітриду бору, який включає попередню хімічну обробку кремнієвих пластин великого діаметра, тобто більше 150 мм, у перекисно-аміачній суміші і промивку в деіонізованій воді, який відрізняється тим, що формування джерела здійснюють із нітридних плівок бору кубічної фази низькотемпературним процесом осадження із направлених іонно-плазмових потоків частинок, причому...