Патенти з міткою «n-ain»

Номер патенту: 94616

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Сай Павло Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Капітанчук Леонід Мусійович, Шеремет Володимир Миколайович, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Коростинська Тамара Василівна, Саченко Анатолій Васильович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 21/268

Мітки: контактів, n-ain, омічних, спосіб, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.