Саченко Анатолій Васильович

Номер патенту: 108190

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович, Сафрюк Надія Володимирівна, Виноградов Анатолій Олегович, Сай Павло Олегович, Кладько Василь Петрович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/45, H01L 21/268

Мітки: омічного, створення, спосіб, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Іванов Володимир Миколайович, Ткаченко Олександр Кирилович, Саченко Анатолій Васильович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Пилипчук Олександр Сергійович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічного, напівпровідників, створення, спосіб, а3в5, низькотемпературного, контакту, типу

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 94616

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Капітанчук Леонід Мусійович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Сай Павло Олегович, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Саченко Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/268

Мітки: n-ain, контактів, омічних, створення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.

Номер патенту: 91936

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Коростинська Тамара Василівна

МПК: H01L 21/00, H01L 21/268

Мітки: виготовлення, спосіб, омічного, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...

Номер патенту: 87820

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Виноградов Анатолій Олегович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Коростинська Тетяна Василівна

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічного, контакту, спосіб, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...

Номер патенту: 83664

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Саченко Анатолій Васильович, Бєляєв Олександр Євгенович, Іванов Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна, Бобиль Олександр Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: H01L 21/268

Мітки: спосіб, контакту, омічного, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до ІnР та GaAs, який включає очищення пластини, на яку у вакуумі в одному технологічному циклі напилюють шари золота, германію, бориду або нітриду тугоплавкого металу та зовнішній контактний шар золота, після чого в інертній атмосфері проводять швидкий термічний відпал всієї структури, який відрізняється тим, що напилюють спочатку шар золота, а потім шар германію однакових товщин, сумарна товщина яких...

Номер патенту: 78936

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Саченко Анатолій Васильович, Виноградов Анатолій Олегович

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічного, кремнію, спосіб, формування, контакту

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...