Капітанчук Леонід Мусійович
Спосіб створення омічних контактів до n-ain
Номер патенту: 94616
Опубліковано: 25.11.2014
Автори: Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Сай Павло Олегович, Шеремет Володимир Миколайович, Саченко Анатолій Васильович, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Коростинська Тамара Василівна, Капітанчук Леонід Мусійович
МПК: H01L 21/268
Мітки: контактів, n-ain, омічних, спосіб, створення
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.