Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч
Спосіб створення омічних контактів до n-ain
Номер патенту: 94616
Опубліковано: 25.11.2014
Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Капітанчук Леонід Мусійович, Саченко Анатолій Васильович, Коростинська Тамара Василівна, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Бєляєв Олександр Євгенович, Сай Павло Олегович, Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 21/268
Мітки: n-ain, омічних, контактів, створення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.