Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч
Спосіб створення омічних контактів до n-ain
Номер патенту: 94616
Опубліковано: 25.11.2014
Автори: Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Капітанчук Леонід Мусійович, Бєляєв Олександр Євгенович, Сай Павло Олегович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 21/268
Мітки: n-ain, спосіб, контактів, омічних, створення
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.