Жиляєв Юрій Васільєвіч
Спосіб створення омічних контактів до n-ain
Номер патенту: 94616
Опубліковано: 25.11.2014
Автори: Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна, Сай Павло Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Капітанчук Леонід Мусійович
МПК: H01L 21/268
Мітки: контактів, омічних, n-ain, спосіб, створення
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.