Сай Павло Олегович

Номер патенту: 108190

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Сай Павло Олегович, Сафрюк Надія Володимирівна, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кладько Василь Петрович, Виноградов Анатолій Олегович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Саченко Анатолій Васильович, Шинкаренко Володимир Вікторович

МПК: H01L 21/268, H01L 29/45

Мітки: омічного, контакту, спосіб, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...

Номер патенту: 94616

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Коростинська Тамара Василівна, Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Сай Павло Олегович, Конакова Раїса Василівна, Капітанчук Леонід Мусійович

МПК: H01L 21/268

Мітки: створення, n-ain, омічних, контактів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Конакова Раїса Василівна, Сай Павло Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Слєпова Олександра Станіславівна, Шеремет Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Семенов Олександр Володимирович, Голинна Тетяна Іванівна, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: основі, ганна, діод

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...