Патенти з міткою «n-рbте:ві»
Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-рbте:ві на ситалових підкладках
Номер патенту: 87031
Опубліковано: 27.01.2014
Автори: Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович
МПК: B82B 3/00
Мітки: термоелектричного, отримання, n-рbте:ві, підкладках, ситалових, спосіб, конденсату
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) K, на підкладку ситалу, який відрізняється тим, що температура підкладки при осадженні становить (520±10) K.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина наноструктур...
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-рbте:ві з покращеними термоелектричними властивостями
Номер патенту: 69952
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Лисюк Юрій Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, напівпровідникових, спосіб, термоелектричними, основі, n-рbте:ві, властивостями, покращеними, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...