Патенти з міткою «термоелектричними»
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-pbte:bi на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями
Номер патенту: 70807
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Дзундза Богдан Степанович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович
МПК: B82B 3/00
Мітки: ситалових, покращеними, отримання, підкладках, напівпровідникових, n-pbte:bi, спосіб, наноструктур, термоелектричними, властивостями
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-рbте:ві з покращеними термоелектричними властивостями
Номер патенту: 69952
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Галущак Мар'ян Олексійович, Лисюк Юрій Васильович
МПК: B82B 3/00
Мітки: спосіб, n-рbте:ві, термоелектричними, отримання, властивостями, основі, наноструктур, напівпровідникових, покращеними
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...
Спосіб визначення теплоємкості текстильних матеріалів термоелектричними сенсорами
Номер патенту: 55165
Опубліковано: 10.12.2010
Автори: Полька Тетяна Олексіївна, Костенко Наталія Ігорівна, Колосніченко Марина Вікторівна, Скрипник Юрій Олексійович
МПК: G01N 33/36
Мітки: визначення, текстильних, матеріалів, теплоємкості, термоелектричними, спосіб, сенсорами
Формула / Реферат:
Спосіб визначення теплоємкості текстильних матеріалів термоелектричними сенсорами, який полягає в приведенні робочого кінця термопари в тепловий контакт з матеріалом, що досліджується, вимірюванні термоЕДС на вільних кінцях термопари, монотонному нагріванні матеріалу, що досліджується, охолодженні та вимірюванні двох значень термоЕДС в процесі охолодження матеріалу, що досліджується, та визначенні його теплоємкості, який відрізняється тим, що...
Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу із покращеними термоелектричними параметрами
Номер патенту: 39123
Опубліковано: 10.02.2009
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна
МПК: C30B 11/00
Мітки: телуриду, n-типу, параметрами, отримання, покращеними, спосіб, термоелектричними, свинцю
Формула / Реферат:
Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу із покращеними термоелектричними параметрами, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що завантаження вихідних речовин в...
Спосіб визначення теплоємності вимірювальних комірок термоелектричними сенсорами
Номер патенту: 23640
Опубліковано: 02.06.1998
Автори: Дубровний Віктор Опанасович, Хімічева Ганна Іванівна, Черноморченко Володимир Константинович, Скрипник Юрій Олексійович
МПК: G01N 25/20
Мітки: теплоємності, термоелектричними, вимірювальних, комірок, визначення, сенсорами, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення теплоємності вимірювальних комірок термоелектричними сенсорами, оснований на приведенні робочого кінця термопари у тепловий контакт з досліджуваною речовиною в комірці, вимірюванні термоЕРС на вільних кінцях термопари, за якою визначають температуру досліджуваної речовини, монотонному нагріванні комірки джерелом сталої потужності до температури, вищої за температуру оточуючого середовища, вимиканні джерела нагрівання,...
Спосіб керування термоелектричними параметрами напівпровідника
Номер патенту: 20443
Опубліковано: 15.07.1997
Автори: Попик Юрій Васильович, Беца Володимир Васильович
МПК: H01L 35/12
Мітки: термоелектричними, спосіб, напівпровідника, керування, параметрами
Формула / Реферат:
Спосіб керування термоелектричними параметрами напівпровідника, що включає його нагрівання та охолодження, який відрізняється тим, що напівпровідник р-типу нагрівають вище температури, при якій змінюється знак термоЕРС із додатнього на від'ємний, далі проводять охолодження в область температур, при яких термоЕРС знову стає додатньою, при цьому додаткове збільшення термоЕРС здійснюється повторним нагрівом, задовільняючи...