Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-рbте:ві на ситалових підкладках

Реферат: Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках включає метод відкритого випаровування у вакуумі, випаровування вихідних речовин із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Т в=(970±10) K, на підкладку ситалу. Температура підкладки при осадженні становить (520±10) K. UA 87031 U (12) UA 87031 U UA 87031 U 5 10 15 20 25 30 35 40 Корисна модель належить до технології напівпровідникових термоелектричних матеріалів і може бути використана у термоелектричних перетворювачах енергії. Наноматеріали мають велику практичну перспективу в області наноелектроніки для розробки нових принципів, а разом із ними надмініатюрних і супероб'ємних систем [Борисенко В.Е. Наноэлектроника - основа информационных систем XXI века // Соросовский образовательный журнал. - 1997. - № 5. - с. 100-104]. Для отримання напівпровідникових наноматеріалів використовують методи молекулярнопроменевої епітаксії (molecular-beam epitaxy, МВE), осадження із металоорганічних сполук (metaloorganic vapor phase epitaxy, MOVPE) та інші [Белявский В.И. Физические основы полупроводниковой нанотехнологии // Соросовский образовательный журнал. - 1996. - № 10. С. 92-98]. Відзначені способи отримання напівпровідникових наноматеріалів вимагають надзвичайно дорогої технологічної апаратури, прецизійної складної системи керування та спеціальних вихідних матеріалів. Найближчим аналогом є "Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі nРbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями" [Пат. 69952. Україна. Фреїк Д.М., Горічок І.В., Лисюк Ю.В., Галущак М.О.; Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника. - № u201111340; заявл. 26.09.2011; опубл. 25.05.2012, Бюл. № 10]. Згідно з цим методом вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі випаровування Тв, осадження здійснюють на підкладку при температурі Т п, що забезпечує товщину конденсату d. Недоліком найближчого аналога є те, що визначені не всі технологічні фактори отримання конденсату, при яких термоелектричні параметри є максимальними. В основу корисної моделі поставлено задачу запропонувати спосіб, який би забезпечував отримання структур на основі легованого телуриду свинцю n-РbТе:Ві із покращеними термоелектричними характеристиками. Поставлена задача вирішується тим, що у способі отримання напівпровідникових структур, використовують відкрите випаровування наважки у вакуумі при температурі випаровування Тв=(970±10) K, осадження здійснюють на підкладки ситалу, для отримання конденсату 2 товщиною d=(50-3780) нм. Спостережувані максимуми термоелектричної потужності (S σ) мають місце, при температурі осадження Т п=(520±10) K і товщинах n-РbТе:Ві d(1600-1700) нм (креслення). Спосіб конкретного виконання. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві здійснюють таким чином. як наважку використовують синтезовану сполуку n-РbТе:Ві із заданим вмістом легуючої домішки, яку випаровують у відкритому вакуумі при температурі випаровування Т в=(970±10) K і осаджують на підкладку ситалу, протягом певного часу, що забезпечують задану товщину (d) конденсату. Для конденсатів n-РbТе:Ві температура підкладки при осадженні складає Т п=(520±10) K, а їх товщина становить d=1600-1700 нм. Перелік креслень 2 Креслення: Залежність термоелектричної потужності S σ легованих наноструктур n-РbТе:Ві різних температур осадження Тп (Тп=420 K (1), Т п=470 K (2), Тп=520 K (3)) від їх товщини d при Т=300 K. 45 ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 50 1. Спосіб отримання термоелектричного конденсату n-РbТе:Ві на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) K, на підкладку ситалу, який відрізняється тим, що температура підкладки при осадженні становить (520±10) K. 2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина наноструктур становить d=(16001700) нм. 1 UA 87031 U Комп’ютерна верстка А. Крижанівський Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2