Лисюк Юрій Васильович
Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-pbte:sb
Номер патенту: 78466
Опубліковано: 25.03.2013
Автори: Криницький Олександр Степанович, Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович
МПК: H01L 21/00, C01B 19/00
Мітки: n-pbte:sb, отримання, матеріалу, спосіб, термоелектричного, ефективного
Формула / Реферат:
Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який...
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-pbte:bi на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями
Номер патенту: 70807
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Горічок Ігор Володимирович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович
МПК: B82B 3/00
Мітки: ситалових, n-pbte:bi, підкладках, спосіб, напівпровідникових, наноструктур, термоелектричними, покращеними, отримання, властивостями
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-рbте:ві з покращеними термоелектричними властивостями
Номер патенту: 69952
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Лисюк Юрій Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, n-рbте:ві, основі, спосіб, покращеними, термоелектричними, властивостями, напівпровідникових, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...
Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності
Номер патенту: 18230
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Никируй Любомир Іванович
МПК: C30B 11/02
Мітки: меркурію, n-типу, спосіб, провідності, монокристалів, отримання, телуриду
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...