Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі сdte

Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі CdTe, що базується на термічному випаровуванні вихідної речовини - телуриду кадмію у вакуумному квазізамкненому об'ємі при температурах 480550 °С та конденсації з парової фази шару на діелектричній підкладці при температурах 380450 °С, який відрізняється тим, що джерело випаровування і підкладку розташовували на малій (0,5-3,0 мм) відстані одне над одним, використовуючи для цього кільцеву склографітову або кварцову прокладку, а оптимальна різниця температур між джерелом випаровування і підкладкою становить 80-100 °С. (19) (21) u200709360 (22) 17.08.2007 (24) 25.12.2007 (72) ВОРОЩЕНКО АНДРІЙ ТАРАСОВИЧ, U A, МАСЛОВ ВОЛОДИМИР ПЕТРОВИЧ, UA, СУКАЧ АНДРІЙ ВАСИЛЬОВИЧ, UA, ТЕТЬОРКІН ВОЛОДИМИР ВОЛОДИ МИРОВИЧ, U A (73) ВОРОЩЕНКО АНДРІЙ ТАРАСОВИЧ, U A, МАСЛОВ ВОЛОДИМИР ПЕТРОВИЧ, UA, СУКАЧ АНДРІЙ ВАСИЛЬОВИЧ, UA, ТЕТЬОРКІН ВОЛОДИМИР ВОЛОДИ МИРОВИЧ, U A (56) 3 28885 кадмію методом «гарячої стінки» [8]. Автори роботи змінюючи температуру джерела випаровування в межах 570-600°С, а також температуру підкладки в межах 480-500°С, виготовили як полікристалічні, так і монокристалічні шари на діелектричних підкладках BaF2. Швидкість росту шарів в залежності від температурних умов росту змінювалась в межах (5.2-10.5)×10-2мкм/хв. При цьому, середній розмір зерен у полікристалічних шарах був близьким до товщини шар у, а відстань між джерелом випаровування і підкладкою перевищувала 3см. Мета корисної моделі підвищення ефективності переносу телуриду кадмію як джерела випаровування до підкладки, а також вирощування полікристалічних шарів з зернами, середній діаметр яких приблизно рівний товщині шару. Реалізація запропонованого способу виготовлення фоточутливи х полікристалічних шарів телуриду кадмію на діелектричних підкладках у вакуумному квазізамкненому об'ємі при зазначених технологічних режимах і малих відстанях між джерелом випаровування і підкладкою забезпечує не менше ніж 95% ефективності переносу речовини до підкладки, причому середній розмір зерен полікристалічного шару не більше ніж на 20% менший його товщини при збереженні стехіометричності складу матеріалу і відсутності гексагональної фази. Технологічні процеси вирощування шарів реалізувалась під ковпаком вакуумної установки з рівнем вакуум у не гірше 6×10-4Па. Висока ефективність переносу речовини обумовлюється технологічними режимами процесу: температурами джерела випаровування і конденсації її пари на підкладку, геометричними параметрами реакційної камери, особливо, висотою, рівнем вакууму під ковпаком установки, що забезпечують конгруентний характер випаровування речовини при кінетичному механізмі її переносу до підкладки. В результаті чого вирощуються полікристалічні шари телуриду кадмію з формою зерен близьких до рівноважної. За даними парціального тиску парів кадмію над поверхнею CdTe при 550°С [1] середня довжина вільного пробігу становить 2,2см, а це означає, що відстань між джерелом випаровування і підкладкою в 3мм відповідає умові молекулярного пучка і забезпечує кінетичний механізм переносу речовини. Збільшення відстані між джерелом випаровування і підкладкою h>3мм приводить до конденсації пари речовини на стінці прокладки і зменшенню ефективності переносу речовини. Зменшення відстані h