Арсєнтьєв Іван Нікітовіч

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу а3в5

Завантаження...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Саченко Анатолій Васильович, Пилипчук Олександр Сергійович, Шеремет Володимир Миколайович, Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Болтовець Микола Силович, Ткаченко Олександр Кирилович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Іванов Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович

МПК: H01L 21/268

Мітки: напівпровідників, омічного, створення, а3в5, контакту, спосіб, типу, низькотемпературного

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...