Пилипчук Олександр Сергійович

Терморегульована кріостатна система для магнітофізичних та електрофізичних досліджень

Завантаження...

Номер патенту: 112992

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Ходунов Володимир Олександрович, Пилипчук Олександр Сергійович, Порошин Володимир Миколайович, Сафронов Віталій Вікторович, Жарков Іван Павлович

МПК: F17C 3/00, B01L 7/00, F25D 3/10 ...

Мітки: електрофізичних, терморегульована, кріостатна, досліджень, система, магнітофізичних

Формула / Реферат:

1. Терморегульована кріостатна система для магнітофізичних та електрофізичних досліджень, яка містить кріостат, усередині знімного зовнішнього корпусу якого розташовані послідовно по вертикальній осі перша посудина для кріогенної рідини і друга рознімна посудина для кріогенної рідини, в якій розташований надпровідний соленоїд і яка охоплена радіаційним екраном, що з'єднаний із першою посудиною, притому, що посудини мають зовнішні і внутрішні...

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу а3в5

Завантаження...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Конакова Раїса Василівна, Пилипчук Олександр Сергійович, Іванов Володимир Миколайович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Саченко Анатолій Васильович, Болтовець Микола Силович, Ткаченко Олександр Кирилович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Арсєнтьєв Іван Нікітовіч

МПК: H01L 21/268

Мітки: напівпровідників, спосіб, омічного, контакту, типу, створення, низькотемпературного, а3в5

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...