Патенти з міткою «омічного»
Спосіб виготовлення омічного контакту до gaas
Номер патенту: 119444
Опубліковано: 25.09.2017
Автори: Дмитрієва Любов Борисівна, Дмитрієв Вадим Сергійович
МПК: H01L 21/28
Мітки: виготовлення, контакту, омічного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до GaAs, який включає знежирення пластини GaAs, хімічне полірування, послідовне промивання в гарячій, холодній дистильованій і деіонізованій воді і метиловому спирті, напилення на підкладку плівки сплаву Ag-Ge-In крізь спеціальні молібденові маски термічним випаровуванням Ag-Ge-In до епитаксійного n-GaAs, який відрізняється тим, що пластину n-GaAs з nе.ш.=1015 см-3…1017 см-3 після поліровки витримують у...
Спосіб створення омічного контакту до inn
Номер патенту: 108190
Опубліковано: 11.07.2016
Автори: Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Сафрюк Надія Володимирівна, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Виноградов Анатолій Олегович, Сай Павло Олегович, Кладько Василь Петрович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович
МПК: H01L 21/268, H01L 29/45
Мітки: контакту, омічного, створення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію
Номер патенту: 101023
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович
МПК: H01L 21/314, H01L 21/268
Мітки: спосіб, омічного, контакту, n+-кремнію, виготовлення, ненагрівний
Формула / Реферат:
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну...
Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу а3в5
Номер патенту: 97882
Опубліковано: 10.04.2015
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Ткаченко Олександр Кирилович, Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Пилипчук Олександр Сергійович, Іванов Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Саченко Анатолій Васильович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 21/268
Мітки: контакту, низькотемпературного, омічного, спосіб, створення, типу, напівпровідників, а3в5
Формула / Реферат:
Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-si
Номер патенту: 91936
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Шеремет Володимир Миколайович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Виноградов Анатолій Олегович, Саченко Анатолій Васильович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 21/00, H01L 21/268
Мітки: контакту, омічного, виготовлення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...
Спосіб формування омічного контакту до n-si
Номер патенту: 87820
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Коростинська Тетяна Василівна, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна
МПК: H01L 21/268
Мітки: формування, контакту, омічного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...
Спосіб виготовлення омічного контакту до gaas
Номер патенту: 84122
Опубліковано: 10.10.2013
Автори: Швець Євген Якович, Дмитрієва Любов Борисівна, Дмитрієв Вадим Сергійович
МПК: H01L 21/28
Мітки: виготовлення, контакту, спосіб, омічного
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до GaAs, що включає отримання методом вакуумного випаровування омічних контактів зі сплаву Ag-Ge-In до епітаксійного n-GaAs з високолегованою підкладкою, який відрізняється тим, що пластину GaAs заздалегідь послідовно знежирюють в суміші толуолу і метилового спирту (1:2), хімічно полірують в суміші 3H2SO4-1H2О3-1Н2О, послідовно промивають в гарячій і холодній дистильованій і деіонізованій воді, у...
Спосіб створення омічного контакту до inp та gaas
Номер патенту: 83664
Опубліковано: 25.09.2013
Автори: Саченко Анатолій Васильович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Бобиль Олександр Васильович, Іванов Володимир Миколайович
МПК: H01L 21/268
Мітки: контакту, створення, спосіб, омічного
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до ІnР та GaAs, який включає очищення пластини, на яку у вакуумі в одному технологічному циклі напилюють шари золота, германію, бориду або нітриду тугоплавкого металу та зовнішній контактний шар золота, після чого в інертній атмосфері проводять швидкий термічний відпал всієї структури, який відрізняється тим, що напилюють спочатку шар золота, а потім шар германію однакових товщин, сумарна товщина яких...
Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м’якої поверхні приладів
Номер патенту: 81588
Опубліковано: 10.07.2013
Автори: Дімітрієв Олег Петрович, Огурцов Микола Олександрович, Пуд Олександр Аркадієвич, Смертенко Петро Семенович
МПК: H01C 1/00, H01L 21/28, H01L 21/00 ...
Мітки: приладів, виготовлення, притискного, контакту, поверхні, м'якої, омічного, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м'якої поверхні приладів, виконаного з водної суспензії електропровідного полімеру, який відрізняється тим, що водну суспензію полімеру наносять на підкладку поруватого діелектрика, просочують її, а потім випаровують залишкову вологу природним шляхом на повітрі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як електропровідний полімер використовують...
Спосіб формування омічного контакту до кремнію
Номер патенту: 78936
Опубліковано: 10.04.2013
Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Саченко Анатолій Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Новицький Сергій Вадимович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович
МПК: H01L 21/268
Мітки: кремнію, формування, спосіб, контакту, омічного
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...
Пристрій для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника
Номер патенту: 55762
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна
МПК: G01R 27/08
Мітки: омічного, вимірювання, параметрів, контакту, напівпровідника, пристрій
Формула / Реферат:
Пристрій для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника, який містить вимірювальний блок, що складається з генератора постійного струму і не менше ніж чотирьох зондів, два з яких під'єднано до генератора, а решта - до вимірювача напруги, і предметний столик для досліджуваних зразків, який відрізняється тим, що пристрій додатково має термостат з керованою температурою, в якому розміщені предметний столик разом з зондами.
Спосіб нанесення гнучкого омічного контакту до структур на основі полікристалічного cds
Номер патенту: 40001
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Смертенко Петро Семенович, Дімітрієв Олег Петрович, Осипьонок Микола Михайлович, Пуд Олександр Аркадієвич
МПК: H01L 21/28, H01L 21/00, H01C 1/00 ...
Мітки: спосіб, омічного, гнучкого, полікристалічного, нанесення, контакту, структур, основі
Формула / Реферат:
Спосіб нанесення омічного контакту до структур на основі полікристалічного CdS, що включає нанесення на підкладинку водної суспензії порошкоподібного CdS з домішкою CdCl2 в кількості 10 мас. %, з подальшим спіканням цього шару в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що як омічний контакт до полікристалічного шару CdS використане вуглецеве волокно, яке попередньо відпалюють в атмосфері інертного газу при температурі...