Борик Віктор Васильович

Номер патенту: 19990

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: кристалічного, спосіб, легованого, отримання, вісмутом, типу, рbse

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного PbSe n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Se розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу...

Номер патенту: 19930

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, p-типу, легованого, cdte:mn, провідності, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см-3.2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності за п. 1, який...

Номер патенту: 18235

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Лоп'янко Михайло Антонович

МПК: C30B 25/18

Мітки: орієнтованих, спосіб, нанокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання орієнтованих нанокристалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої розміщений випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок, який відрізняється тим, що використовують монокристалічні підкладки із заданою кристалографічною площиною (h, k, l), де h, k, l - індекси Міллера кристалографічних площин...

Номер патенту: 18231

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Дмитрів Анжела Миколаївна, Борик Віктор Васильович, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, телуриду, спосіб, провідності, p-типу, меркурію, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду р-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 63275

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Іванишин Ірина Мирославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, gete-snte-bi2te3-sb2te3, твердих, розчинів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання твердих розчинів GеТе-SnТе-Ві2Те3-Sb2Те3, який полягає в тому, що вихідні речовини сплавляють у кварцових вакуумованих ампулах при температурі, яка є вищою за найбільшу температуру плавлення вибраних сполук, після чого отриманий сплав піддають зонній плавці і відпалу у вакуумі при температурі 600 К протягом 26 год., який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав 0,77(ВіxSb1-x)2Те3+0,23GeySn1-yTe складу x...

Номер патенту: 62892

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Шперун Володимир Михайлович, Іванишин Ірина Мирославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: розчинів, отримання, твердих, спосіб, gete-cu2te

Формула / Реферат:

Спосіб отримання твердих розчинів GeTe-Cu2Te, який полягає в тому, що вихідні речовини сплавляють у кварцових вакуумованих ампулах при температурі 1470 К протягом 5 годин з подальшим охолодженням на повітрі, після чого отриманий сплав піддають відпалу у атмосфері аргону при температурі 820 К протягом 600 год., який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав (GeTe)1-x(Cu2Te)x складу х=0,025.