C30B 15/14 — нагрівання розплаву або кристаллизуемой матеріалу

Номер патенту: 108015

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Мірошников Юрій Петрович, Пузіков Андрій Вячеславович, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Будніков Олександр Тимофійович

МПК: C30B 15/14, C30B 29/16

Мітки: вирощування, спосіб, оксидів, монокристалів, тугоплавких

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, що включає горизонтально спрямовану кристалізацію розплаву в захисній атмосфері, яка містить оксид вуглецю, при тиску 10-30 Па, який відрізняється тим, що концентрацію азоту в захисній атмосфері забезпечують не вище 2 об. %, а кристалізацію здійснюють при потужності нагрівача над вільною поверхнею розплаву збільшеною на 20-25 % у порівнянні і нижньою частиною розплаву.

Номер патенту: 101807

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Колєсніченко Володимир Іванович, Гніздило Олександр Миколайович, Карускевич Ольга Віталіївна, Якуша Володимир Вікторович, Шаповалов Віктор Олександрович

МПК: C30B 15/10, C30B 15/14, F27B 14/00 ...

Мітки: пристрій, тугоплавких, монокристалів, вирощування, чохральського, методом

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування тугоплавких монокристалів методом Чохральского, який включає вакуумну камеру кристалізації, механізм витягування кристалу, тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу, який відрізняється тим, що тигель виконаний з тугоплавкого матеріалу засобами пошарового наплавлення, який розігрівається пропусканням через нього електричного струму.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що тигель виконаний з заготовки...

Номер патенту: 101298

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/14

Мітки: завершення, спосіб, монокристалів, росту

Формула / Реферат:

1. Спосіб завершення росту монокристалів, переважно кремнію, при вирощуванні їх за методом Чохральського з відокремленням кристала від розплаву та його охолодженням, який відрізняється тим, що перед відокремленням тигель та кристал переміщують у зону нагрівання.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що швидкість переміщення кристала поступово збільшують до швидкості переміщення тигля.

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Адонкін Георгій Тимофійович, Гринь Леонід Олексійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Данько Олександр Якович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, алюмінію, оксиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Номер патенту: 86135

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 15/14, C30B 15/20

Мітки: пристрій, монокристалів, прозорістю, вирощування, випромінювання, теплового, низькою

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з низькою прозорістю для теплового випромінювання методом Чохральського, який містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою пластину з коаксіальним отвором в центральній її частині, який відрізняється тим, що екран виконаний у вигляді кільцевої пластини, зовнішній діаметр...

Номер патенту: 62899

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Кушнарьов Андрій Васильович

МПК: C30B 15/14

Мітки: процесі, регулювання, градієнта, кристали, температури, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання градієнта температури в кристалі в процесі його вирощування, що містить усередині штока трубку з діаметром меншим, ніж внутрішній діаметр штока, який відрізняється тим, що на штоці закріплено циліндричний нагрівач із внутрішнім діаметром від 2 до 3 діаметрів штока і встановленому на відстані від 5 до 10 діаметрів штока щодо рівня розплаву.