Гамов Дмитро Вікторович
Спосіб безконтактного виявлення легованих областей в напівпровідниковому матеріалі
Номер патенту: 78989
Опубліковано: 10.04.2013
Автори: Богатиренко Вячеслав Валерійович, Малютенко Володимир Костянтинович, Мельник Віктор Павлович, Хацевич Ігор Мирославович, Кирюша Олексій Іванович, Малютенко Олег Юрійович, Гамов Дмитро Вікторович, Нікірін Віктор Андрійович
МПК: G01N 21/00, G01R 31/308
Мітки: напівпровідниковому, безконтактного, матеріали, виявлення, областей, легованих, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб безконтактного виявлення легованих областей в напівпровідниковому матеріалі, що включає визначення розподілу концентрації вільних носіїв заряду по поверхні зразка, який відрізняється тим, що зразок нагрівають до температури 50-200 °С і з допомогою тепловізійної камери реєструють розподіл по поверхні зразка густини потоку теплового інфрачервоного випромінювання в області за краєм фундаментального поглинання даного напівпровідника, який...
Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури
Номер патенту: 85477
Опубліковано: 26.01.2009
Автори: Оберемок Олександр Степанович, Романюк Борис Миколайович, Хацевич Ігор Мирославович, Попов Валентин Георгійович, Гамов Дмитро Вікторович, Мельник Віктор Павлович
МПК: H01L 29/00, H01L 21/00
Мітки: виготовлення, структури, нанокластерної, кремнієвої, спосіб, фотолюмінесцентної
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...