Хацевич Ігор Мирославович

Спосіб виготовлення термочутливої плівки оксиду ванадію для неохолоджуваних болометрів

Завантаження...

Номер патенту: 83371

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Кладько Василь Петрович, Голтвянський Юрій Васильович, Нікірін Віктор Андрійович, Хацевич Ігор Мирославович, Мусаєв Сергій Мусаєвич, Венгер Євген Федорович, Оберемок Олександр Степанович, Кучук Адріан Володимирович

МПК: H01L 31/0392, G01J 5/20

Мітки: ванадію, виготовлення, спосіб, неохолоджуваних, оксиду, болометрів, термочутливої, плівки

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термочутливої плівки оксиду ванадію для неохолоджуваних болометрів, який включає магнетронне напорошення на підкладку плівки оксиду ванадію з ванадієвої мішені в кисневмісній атмосфері та термічний відпал плівки в суміші кисню та інертного газу, де кисню 25-95 %, а інертного газу - решта, який відрізняється тим, що плівку напорошують на підігріту до 220-260 °C підкладку в атмосфері суміші кисню з інертним газом,...

Спосіб безконтактного виявлення легованих областей в напівпровідниковому матеріалі

Завантаження...

Номер патенту: 78989

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Богатиренко Вячеслав Валерійович, Кирюша Олексій Іванович, Малютенко Олег Юрійович, Мельник Віктор Павлович, Малютенко Володимир Костянтинович, Гамов Дмитро Вікторович, Нікірін Віктор Андрійович, Хацевич Ігор Мирославович

МПК: G01N 21/00, G01R 31/308

Мітки: спосіб, напівпровідниковому, легованих, безконтактного, областей, матеріали, виявлення

Формула / Реферат:

Спосіб безконтактного виявлення легованих областей в напівпровідниковому матеріалі, що включає визначення розподілу концентрації вільних носіїв заряду по поверхні зразка, який відрізняється тим, що зразок нагрівають до температури 50-200 °С і з допомогою тепловізійної камери реєструють розподіл по поверхні зразка густини потоку теплового інфрачервоного випромінювання в області за краєм фундаментального поглинання даного напівпровідника, який...

Спосіб виготовлення термохромної плівки діоксиду ванадію методом магнетронного розпилення

Завантаження...

Номер патенту: 62706

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Гудименко Олександр Йосипович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович, Нікірін Віктор Андрійович, Оберемок Олександр Степанович, Хацевич Ігор Мирославович, Голтвянський Юрій Васильович, Попов Валентин Георгійович

МПК: G02F 1/015

Мітки: магнетронного, діоксиду, термохромної, розпилення, спосіб, методом, виготовлення, плівки, ванадію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термохромної плівки діоксиду ванадію, який включає нанесення на підігріту до 200-250 °С підкладку у вакуумній камері шару аморфного оксиду ванадію і його кристалізацію шляхом термічного відпалу, який відрізняється тим, що шар аморфного оксиду ванадію наносять шляхом магнетронного розпорошення ванадієвої мішені в середовищі газової суміші Аr та О2, вміст якого складає 3-7 %, зі швидкістю напилення 5-15 нм/хв., а термічний...

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури

Завантаження...

Номер патенту: 39868

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Попов Валентин Георгійович, Мельник Віктор Павлович, Хацевич Ігор Мирославович, Мельник Павло Вікентієвич, Романюк Борис Миколайович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: нанокластерної, фотолюмінесцентної, виготовлення, структури, спосіб, кремнієвої

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж...

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури

Завантаження...

Номер патенту: 85477

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович, Хацевич Ігор Мирославович, Гамов Дмитро Вікторович, Оберемок Олександр Степанович, Попов Валентин Георгійович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/00

Мітки: спосіб, кремнієвої, фотолюмінесцентної, виготовлення, структури, нанокластерної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...